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ZXMN2A01F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN2A01F SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN2A01F

ZXMN2A01F概述

    ZXMN2A01F N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMN2A01F 是一款先进的沟槽技术 N 沟道增强型 MOSFET,适用于电池保护及开关应用。这款器件在低至 2.5V 的栅极电压下也能实现优异的性能,具备出色的 RDS(ON) 和较低的栅极电荷。它主要应用于电池保护、负载开关和不间断电源系统中。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压(VDS): 20V
    - 持续漏电流(ID): 2.3A
    - 网关源电压(VGS): ±12V
    - 最大功率耗散(PD): 0.9W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient, RθJA): 139°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 20V (VGS=0V, ID=250μA)
    - 零栅压漏电流(IDSS): 1μA (VDS=20V, VGS=0V)
    - 栅体漏电流(IGSS): ±100nA (VGS=±12V, VDS=0V)
    - 栅阈电压(VGS(th)): 0.5V ~ 1.2V (VDS=VGS, ID=250μA)
    - 导通电阻(RDS(ON)): 48mΩ ~ 60mΩ (VGS=4.5V, ID=2.3A)
    - 前向跨导(gFS): 8S (VDS=5V, ID=2.3A)
    - 输入电容(Ciss): 260pF (VDS=10V, VGS=0V, F=1.0MHz)
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间(td(on)): 2.5ns
    - 开启上升时间(tr): 3.2ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): 21ns
    - 关闭下降时间(tf): 3ns
    - 总栅极电荷(Qg): 2.9nC ~ 5nC (VDS=10V, ID=2.3A, VGS=4.5V)

    3. 产品特点和优势


    ZXMN2A01F 具备多项显著优势:
    - 低栅极电荷: 有助于提高开关速度,降低能耗。
    - 宽工作温度范围: 能够在极端环境下稳定运行。
    - 低导通电阻: 在低栅极电压下仍能保持优异的性能。
    - 先进沟槽技术: 提升整体性能和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护: ZXMN2A01F 可用于监测和控制电池状态,确保电池在各种条件下的安全使用。
    - 负载开关: 在不间断电源系统中,该器件可以作为高效可靠的开关使用。
    - 不间断电源 (UPS): 保证电源系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 确保正确的安装和连接,避免由于不当使用导致损坏。
    - 选择适当的散热设计以维持器件的热稳定性。
    - 根据具体应用场景调整电路设计,如使用合适的栅极驱动电路来优化性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - ZXMN2A01F 采用标准 SOT-23 封装,易于与其他组件集成。
    - 官方支持文档和设计指南可帮助用户正确应用该器件。
    支持和服务:
    - Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 提供全面的技术支持和售后服务。
    - 用户可通过官网获取最新的产品资料和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 器件无法正常开启。
    - 解决方案: 检查栅极电压是否达到阈值,确认电路连接无误。

    - 问题2: 温度过高导致器件失效。
    - 解决方案: 使用散热片或热管,改善散热条件。
    - 问题3: 开关频率过高导致性能下降。
    - 解决方案: 降低开关频率,优化驱动电路。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    ZXMN2A01F N 沟道 MOSFET 凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,在电池保护和开关应用中表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和出色的开关特性使其成为许多场合的理想选择。
    推荐:
    鉴于其高性价比和强大的功能,我们强烈推荐 ZXMN2A01F 作为开关应用的首选器件。无论是需要高度可靠性的工业应用还是日常电子产品,该器件都能提供优异的性能。

ZXMN2A01F参数

参数
FET类型 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

ZXMN2A01F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN2A01F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN2A01F ZXMN2A01F数据手册

ZXMN2A01F封装设计

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9000+ ¥ 0.1342
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