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HVESD05A1A-HD1-GS08

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HVESD05A1A-HD1-GS08 DFN1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HVESD05A1A-HD1-GS08

HVESD05A1A-HD1-GS08概述

    HVESD05A1A-HD1-GS08 ESD Protection Diode 技术手册

    1. 产品简介


    HVESD05A1A-HD1-GS08是一款由华宣阳电子科技有限公司生产的ESD(静电放电)保护二极管。它主要用于保护敏感的半导体组件免受静电放电和其他电压瞬态事件的影响。这款产品具有卓越的钳位能力、低泄漏电流和低电容,特别适用于暴露于ESD的电路设计中。该器件适用于需要单向线路保护的应用场合,提供了设计上的灵活性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率(\(tp\) = 8/20 μs) | 300 | W |
    | 最大引脚焊接温度(10秒) | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 工作温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 最大结温 | 150 | °C |
    | 静电放电标准 | IEC 61000-4-2 (ESD):±15 kV
    IEC 61000-4-4 (EFT):40 A
    | 反向工作电压 | 5 | V |
    | 逆向击穿电压 | 6.0 | V |
    | 逆向泄漏电流 | 1.0 | μA |
    | 电容 | 40 | pF |
    | 低钳位电压 | - | V |

    3. 产品特点和优势


    - 卓越的钳位能力:能够有效抑制高达15 kV的静电放电。
    - 超小封装:仅1.0mm x 0.6mm x 0.5mm,适合紧凑型设计。
    - 低泄漏电流:典型值仅为1.0 μA,保证了高可靠性。
    - 快速响应时间:能够迅速反应以保护敏感组件。
    - 适用于高速数据线:适合高频率数据传输的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:HVESD05A1A-HD1-GS08适用于各种需要ESD保护的应用场景,例如高速数据传输线路、控制信号线路等。这些场景下,该器件可以有效地保护数据完整性,确保系统稳定运行。
    使用建议:
    - 在使用前,确保了解其适用的工作温度范围,避免超出规定的温度范围使用。
    - 使用过程中注意散热管理,避免长时间高功耗工作导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    HVESD05A1A-HD1-GS08可以与多种高速数据线兼容,适用于不同的应用环境。华宣阳电子科技有限公司提供相应的技术支持和售后服务,以帮助客户更好地使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:反向电压超过规定范围,可能导致器件损坏。
    解决方案:严格控制使用条件,确保不超过额定电压范围。
    - 问题:长期高功率工作导致过热。
    解决方案:注意散热设计,确保良好的散热效果。

    7. 总结和推荐


    HVESD05A1A-HD1-GS08以其卓越的性能和小巧的封装成为市场上的明星产品。它不仅适用于各种高速数据传输场合,还具备可靠的防护能力。强烈推荐在需要ESD保护的高性能应用中使用该产品。

HVESD05A1A-HD1-GS08参数

参数
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -

HVESD05A1A-HD1-GS08厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HVESD05A1A-HD1-GS08数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HVESD05A1A-HD1-GS08 HVESD05A1A-HD1-GS08数据手册

HVESD05A1A-HD1-GS08封装设计

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30000+ ¥ 0.2744
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