处理中...

首页  >  产品百科  >  FDN358P

FDN358P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDN358P SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDN358P

FDN358P概述

    FDN358P P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDN358P 是一款由华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的P沟道增强型MOSFET。这款电子元器件主要用于电池保护及开关电源管理等领域。由于采用了先进的沟槽技术,FDN358P具备出色的低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷等特性,可实现最低2.5V的栅极电压操作。它适用于脉宽调制(PWM)电路、负载开关等场景。

    2. 技术参数


    - 封装: SOT-23
    - 主要参数:
    - VDS(漏源电压): -30V
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): -4.1A
    - 脉冲漏极电流(IDM): -13A
    - 最大功耗(PD): 1.32W
    - 环境温度范围(TJ,TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻: 界面至环境热阻(RθJA): 125°C/W
    - 其他参数:
    - 静态导通电阻(RDS(ON)): <56mΩ @ VGS=10V
    - 栅阈电压(VGS(th)): -1.2V

    3. 产品特点和优势


    FDN358P 具有高功率处理能力和电流处理能力。其采用表面贴装技术(SMT),适合现代电子设备的小型化需求。低栅极电荷和出色的导通电阻使得其特别适用于电池保护和开关电源管理等应用场景。该器件还具有优良的温度稳定性和可靠性,使其能够在极端环境下正常运行。

    4. 应用案例和使用建议


    FDN358P 主要应用于电池保护、负载开关和脉宽调制(PWM)电路。例如,在一个典型的电池管理系统中,FDN358P可以作为关键的开关器件,用于控制电池的充放电过程。在实际应用中,建议在选择驱动电压时考虑到VGS的值,以确保最佳的性能和稳定性。此外,应遵循制造商的建议进行适当的散热设计,特别是在高功率应用场景下。

    5. 兼容性和支持


    FDN358P 采用标准SOT-23封装,易于与其他主流的电子元件和设备集成。制造商提供详尽的技术支持,包括产品规格书、设计指南和样品服务。客户可以通过官方网站获取更多资源和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 如何判断MOSFET是否损坏?
    解决方法: 使用万用表测量栅源电压(VGS)和漏源电压(VDS)。如果VGS和VDS不在额定范围内,则可能需要更换MOSFET。
    问题2: 如何正确安装和焊接MOSFET?
    解决方法: 确保焊接温度不超过制造商规定的最大值,且焊接时间不宜过长。焊接前使用防静电措施,以防止静电对MOSFET造成损害。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDN358P P-Channel Enhancement Mode MOSFET 在电池保护和开关电源管理领域表现出色。它的高功率处理能力、低导通电阻以及良好的温度稳定性使其成为这些应用场景的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能P沟道MOSFET的工程师和设计师。

FDN358P参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -

FDN358P厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDN358P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDN358P FDN358P数据手册

FDN358P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2006
9000+ ¥ 0.1973
15000+ ¥ 0.1923
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 601.8
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336