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ISC026N03L5S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ISC026N03L5S DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ISC026N03L5S

ISC026N03L5S概述


    产品简介


    ISC026N03L5S 是一款由深圳华宣阳电子有限公司(HuaXuanYang Electronics)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用了先进的沟槽技术,旨在提供卓越的导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷,并能在较低的门电压(如 4.5V)下正常工作。这款 MOSFET 广泛应用于电池保护电路、负载开关以及不间断电源(UPS)等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID @ TC=25°C): 150A
    - 连续漏极电流 (ID @ TC=100°C): 80A
    - 单脉冲雪崩电流 (IDM): 160A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 180mJ
    - 热阻 (RθJA): 1.62°C/W
    - 储存温度范围 (TSTG): -55°C 到 150°C
    - 电气特性
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在 VGS=10V 时: < 2.4mΩ
    - 在 VGS=4.5V 时: < 3.2mΩ
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.2V 至 2.5V
    - 最大栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在 VDS=15V 和 VGS=10V 时: < 4345nC
    - 互导 (gfs): < 1.7S

    产品特点和优势


    ISC026N03L5S 的关键优势在于其卓越的导通电阻和低栅极电荷,这使其在高效能应用中表现优异。它的最大额定值和工作环境适应性强,特别适用于高功率密度的应用场合。相比市场上其他同类产品,这款 MOSFET 能在更低的门电压下正常工作,从而降低了系统功耗,提高了整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护电路:ISC026N03L5S 可用于电池保护电路,通过精确控制电池的充放电过程,有效防止过压和欠压,确保电池的安全使用。
    - 负载开关:在高功率负载开关中,它能够迅速切换,减少损耗,提高系统的可靠性和稳定性。
    - 不间断电源(UPS):作为 UPS 的关键组件,它可以确保在电网异常时快速切换到备用电源,为关键设备提供不间断的电力供应。
    使用建议:
    - 在设计高功率应用时,应充分考虑散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    - 尽量将 MOSFET 的安装环境温度保持在 -55°C 到 150°C 之间,以保证其正常工作。

    兼容性和支持


    ISC026N03L5S 采用 DFN5X6-8L 封装,符合工业标准,可与各种通用的 PCB 设计兼容。深圳华宣阳电子公司提供了详尽的技术支持文档和用户指南,以帮助用户正确使用和维护该产品。此外,他们还提供售后服务和技术咨询,以应对用户在使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 在高电流应用中,发现 MOSFET 发热严重。
    - 解决办法: 确保正确的散热措施,如使用散热片或散热风扇,必要时增加散热材料。

    - 问题 2: 在启动过程中,发现 MOSFET 开关时间较长。
    - 解决办法: 检查驱动电路的参数设置,适当调整栅极电阻(Rg),以缩短开关时间。

    - 问题 3: 在低温环境下,MOSFET 性能不稳定。
    - 解决办法: 确保工作环境温度不低于最低操作温度限制,必要时提供额外的加热装置。

    总结和推荐


    综上所述,ISC026N03L5S 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET。其优秀的导通电阻、低栅极电荷以及广泛的工作温度范围,使其在多种应用场景中表现出色。我们强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效能、高可靠性的电子设备中。无论是在电池保护、负载开关还是不间断电源系统中,ISC026N03L5S 都能为用户提供卓越的性能和稳定的运行保障。

ISC026N03L5S参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

ISC026N03L5S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ISC026N03L5S数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ISC026N03L5S ISC026N03L5S数据手册

ISC026N03L5S封装设计

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