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ZXMN3B14F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN3B14F SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN3B14F

ZXMN3B14F概述

    # ZXMN3B14F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMN3B14F 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的 Trench 工艺制造。其卓越的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及支持低至 2.5V 的栅源电压使其非常适合用于电池保护和开关应用。这款产品由深圳华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics CO., LTD)生产,具有高功率处理能力和无铅环保特性,广泛应用于 PWM(脉宽调制)电路、负载开关及电源管理等领域。

    技术参数


    以下是 ZXMN3B14F 的主要技术参数列表:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    ||
    | 栅源电压范围 | VGS ±12 V |
    | 栅体漏电流 | IGSS | VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5.8A 28 | 34 | mΩ |
    | 输出电容 | Coss - | 100 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss - | 78 | - | pF |
    | 最大功率耗散 | PD | TA=25°C | - | - | 1.4 | W |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    ZXMN3B14F 的核心优势在于其先进的工艺技术和出色的电气性能:
    1. 高功率处理能力:能够承受高达 5.8A 的连续漏极电流,同时具备良好的热稳定性。
    2. 低导通电阻:典型值仅为 28mΩ(@VGS=10V),显著降低了功耗。
    3. 兼容多种电压输入:支持最低 2.5V 的栅源电压,适用于广泛的驱动电路设计。
    4. 环保设计:符合 RoHS 标准,无铅化生产。
    5. 紧凑封装:SOT-23-3L 封装适合高密度 PCB 布局。

    应用案例和使用建议


    ZXMN3B14F 广泛应用于各种电子系统中,例如:
    - 电池保护电路:利用其低导通电阻特性实现高效的充放电控制。
    - 负载开关:作为主控开关器件,提高系统的可靠性和效率。
    - PWM 控制电路:适合作为开关元件,减少能量损失。
    使用建议:
    - 在设计中需注意散热管理,避免长时间运行于高温环境中。
    - 配套选用合适的驱动电路以确保充分的栅极充电和放电时间。

    兼容性和支持


    ZXMN3B14F 可与其他主流 SOT-23 封装的标准元件互换,易于集成到现有系统中。深圳华宣阳电子提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速完成产品选型和技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过高的功耗 | 确保 PCB 设计合理并优化散热措施 |
    | 开关速度不符合预期 | 调整驱动电路参数以加快开关速度 |
    | 器件温度过高 | 添加外部散热片或优化 PCB 布局 |

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN3B14F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 凭借其优异的性能表现、环保设计及广泛的适用性,在多个领域展现了强大的竞争力。对于需要高效能、小型化解决方案的设计者而言,它无疑是一个理想的选择。我们强烈推荐此产品用于各类高要求的应用场合。

ZXMN3B14F参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
配置 -

ZXMN3B14F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN3B14F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN3B14F ZXMN3B14F数据手册

ZXMN3B14F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.8694
9000+ ¥ 0.8549
15000+ ¥ 0.8332
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