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HBV03C-H

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HBV03C-H SOD-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HBV03C-H

HBV03C-H概述


    产品简介


    HBV03C-H 是一款由华轩阳电子科技有限公司(HXY)生产的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管)。该产品主要用于保护敏感的半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件造成的损害。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容以及快速响应时间使其成为暴露于ESD环境下的设计的最佳选择。此外,它还提供了灵活性,可在单向线路上实现双向保护,而无需采用阵列方案。

    技术参数


    以下是HBV03C-H的主要技术规格和技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs) | 400 | W |
    | 最大引脚温度 (焊接时,持续10秒) | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 to +155 | °C |
    | 工作温度范围 | -40 to +125 | °C |
    | 结温 | 150 | °C |
    | IEC61000-4-2 (ESD) | 空气放电 | ±10 | KV |
    接触放电 | ±15 | KV |
    | 额定电压(最大反向工作电压) | 3.3 | V |
    | 泄漏电流(@额定电压) | 1.0 | μA |
    | 击穿电压(@IT) | 5.4 | V |
    | 击穿电流(@IT) | 1.0 | mA |
    | 电容(@DC=0V) | 1 | pF |
    | 钳位电压(@IPP=20A) | 20 | V |

    产品特点和优势


    HBV03C-H具有以下显著特点和优势:
    - 超低电容: 仅1皮法,适用于高频应用。
    - 低钳位电压: 保证了出色的ESD防护效果。
    - 低封装高度: 仅0.4毫米,适合紧凑型设计。
    - 高浪涌电流承受能力: 达到IEC61000-4-2标准的第四级。
    - 快速响应时间: 典型响应时间为<1.0纳秒,确保高效保护。
    - 双向保护: 设计灵活,可应用于需要单线双向保护的应用。

    应用案例和使用建议


    HBV03C-H广泛应用于消费电子产品、工业控制系统和通信设备中。具体应用场景包括:
    - 智能手机和手持设备的USB端口保护。
    - 工业控制板卡上的I/O接口保护。
    - 通信模块中的天线保护。
    使用建议:
    在使用HBV03C-H时,建议根据具体应用需求选择合适的布局,避免信号线过长,以减少不必要的寄生效应。同时,在焊接过程中需注意最高引脚温度不得超过260°C,以免损坏器件。

    兼容性和支持


    HBV03C-H适用于各种标准的SOD-323封装,与市场上主流的表面贴装设备兼容。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户在设计、生产和应用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    Q: 如何确定器件的工作温度范围?
    A: 参考手册中的电气特性表,确认工作温度范围为-40°C至+125°C。
    Q: 如何处理超过最大额定值的情况?
    A: 超过最大额定值可能导致器件损坏。必须严格遵守手册中的推荐操作条件,避免长时间超出最大额定值。
    Q: 如何测量击穿电压和电流?
    A: 根据手册中的测试程序,参照图3和图4所示的测试方法进行测量。

    总结和推荐


    HBV03C-H凭借其卓越的性能和灵活的设计,是保护敏感电子元件免受ESD损伤的理想选择。无论是消费电子还是工业控制应用,HBV03C-H都表现出色。虽然价格略高于一些低端竞品,但其优异的性能和可靠性使得它物有所值。强烈推荐在需要高性能ESD防护的场合使用HBV03C-H。

HBV03C-H参数

参数
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -

HBV03C-H厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HBV03C-H数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HBV03C-H HBV03C-H数据手册

HBV03C-H封装设计

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