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ZXMN3B01F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN3B01F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN3B01F

ZXMN3B01F概述

    # HZX-YANG N-Channel Enhancement Mode MOSFET: ZXMN3B01F

    产品简介


    基本介绍
    ZXMN3B01F 是由深圳市华轩阳电子有限公司生产的N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(ON))和高可靠性在电池保护和开关电源应用中具有广泛的应用前景。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(ON)):小于42毫欧(@ VGS=10V),适合用于需要低损耗的应用场合。
    - 宽电压范围:最高可承受30V的漏源电压(VDS)。
    - 高频应用能力:支持高达1.0MHz的工作频率。
    - 先进的工艺技术:采用先进的沟槽技术,保证高效能和低功耗。
    应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源

    技术参数


    电气特性
    - 漏源电压(VDS):最大值为30V
    - 栅源电压(VGS):±12V
    - 连续漏极电流(ID):最大值为5A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为14.4A(脉冲宽度≤300us,占空比≤2%)
    - 最大功率耗散(PD):1W
    - 工作结温和存储温度范围:-55℃到150℃
    其他特性
    - 热阻(Junction-to-Ambient):125℃/W
    - 典型输出特性图:参见图1
    - 反向传输电容(Crss):最大值为35pF
    - 输入电容(Ciss):最大值为310pF
    - 输出电容(Coss):最大值为49pF
    - 栅极电荷(Qg):最大值为4.6nC
    - 转导电导率(gfs):最大值为10.5S
    - 反向电压(VSD):最大值为1.2V

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高效的低导通电阻(RDS(ON)):能够实现低损耗操作,特别适用于需要高效率的电池保护和开关应用。
    - 先进的沟槽技术:提供出色的性能和可靠的长期使用。
    - 宽泛的工作温度范围:适应多种恶劣环境条件。
    市场竞争力
    - 低热阻:125℃/W的热阻意味着良好的散热性能,适用于长时间工作的应用场景。
    - 高可靠性:经过严格测试和验证,适用于各种工业级应用。
    - 易用性:SOT-23封装使得安装和焊接更加便捷。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:ZXMN3B01F 可以用于锂电池和其他类型的电池保护电路中,确保电池在极端条件下的安全运行。
    - 负载开关:可以应用于计算机主板上的负载开关,提高系统的稳定性和效率。
    - 不间断电源(UPS):通过快速响应时间和高可靠性的设计,确保电源系统在断电情况下的无缝切换。
    使用建议
    - 正确接线:确保PIN2连接到漏极(D),PIN1连接到栅极(G),PIN3连接到源极(S)。
    - 散热管理:考虑使用散热片或其他散热方法,以应对高温环境。
    - 电压和电流限制:遵循手册中的最大额定值,避免超过规定的电压和电流。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 其他电子元器件:ZXMN3B01F 可以与其他标准的SOT-23封装的MOSFET兼容,方便替换和升级。
    - 设备兼容性:适用于大多数开关电源、电池管理系统和其他需要高效、可靠的MOSFET的应用场合。
    厂商支持
    - 技术支持:提供详细的技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。
    - 售后服务:购买后享受一定期限内的免费技术支持和更换服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 过热问题
    - 解决方案:使用散热片或者风扇进行散热,确保良好的通风条件。
    2. 电流不稳定
    - 解决方案:检查接线是否正确,确保所有连接点无虚焊或短路现象。
    3. 漏电流过高
    - 解决方案:检查栅极电压是否在规定范围内,使用合适的驱动器或电路来控制栅极电压。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:低导通电阻(RDS(ON))、高可靠性、宽工作温度范围和广泛的适用性使其成为许多应用的理想选择。
    - 缺点:需要注意的是,尽管其性能优秀,但某些极端应用可能需要额外的安全措施。
    推荐
    - 总体评价:强烈推荐ZXMN3B01F用于电池保护、负载开关和不间断电源等应用。其优异的性能和可靠性将大大提升系统的整体表现。
    - 使用场景:适合于工业控制、通信设备、汽车电子、消费电子产品等多个领域。

ZXMN3B01F参数

参数
FET类型 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

ZXMN3B01F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN3B01F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN3B01F ZXMN3B01F数据手册

ZXMN3B01F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.4617
15000+ ¥ 0.45
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