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FDS6675BZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS6675BZ SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS6675BZ

FDS6675BZ概述


    产品简介


    FDS6675BZ 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., Ltd 生产的 P 沟道增强型 MOSFET。这款 MOSFET 主要用于电池保护、负载开关及不间断电源等领域。其典型应用包括但不限于电池管理、电源转换等关键电路中。该器件提供出色的低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及能够在最低2.5V栅极电压下工作的能力。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | -30 V |
    | VGS | 栅源电压 +20 V |
    | ID@TA=25℃ | 漏电流,Ta=25℃ -12 A |
    | ID@TA=70℃ | 漏电流,Ta=70℃ -9.1 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 -40 | A |
    | PD@TA=25℃ | 总耗散功率,Ta=25℃ 2.5 | W |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RDS(ON) | 导通电阻 10 | 13 | mΩ |
    | VGS(th) | 门限电压 | -1 -2.5 | V |
    | Qg | 总栅极电荷 28 | 45 | nC |

    产品特点和优势


    FDS6675BZ 的独特之处在于其低栅极电荷和低漏源导通电阻,使得它在多种应用中表现优异。这些特点有助于减少功耗和提高效率,尤其适用于电池供电的便携式设备以及需要高性能功率管理的系统。此外,其支持低至2.5V的栅极电压操作,使其具有广泛的适用性。

    应用案例和使用建议


    在电池保护系统中,FDS6675BZ 可以有效地限制过流情况,确保电池安全。在负载开关应用中,它可以快速切换高电流负载,保证系统的稳定运行。根据手册中提供的应用场景,对于需要高可靠性、低损耗的应用,推荐将该器件应用于设计初期,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    FDS6675BZ 使用常见的 SOP-8 封装,易于集成到现有的 PCB 设计中。该器件与市场上其他 P 沟道 MOSFET 具有良好的兼容性,方便用户进行替换或升级。Shenzhen HuaXuanYang Electronics 提供全面的技术支持和售后服务,以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:FDS6675BZ 在高温下表现不稳定
    - 解决方案:在高温环境下,务必确保散热设计合理,使用大尺寸散热片或风扇以降低温度。同时,参考手册中关于热阻的参数,选择合适的散热策略。
    2. 问题:无法达到规定的漏电流 ID
    - 解决方案:检查电路设计是否正确,确认所有连接点均无松动或损坏。如果仍然存在问题,请联系技术支持获取进一步的帮助。

    总结和推荐


    综上所述,FDS6675BZ 凭借其卓越的性能、低导通电阻和广泛的工作电压范围,在众多 P 沟道 MOSFET 中脱颖而出。其在电池保护和负载开关方面的应用尤为突出,是实现高效能功率管理的理想选择。因此,我们强烈推荐在需要高可靠性、低损耗的场合中使用 FDS6675BZ。
    通过仔细研究其技术规格和实际应用案例,我们可以充分了解其性能和优势,确保该产品能够为各种电子设备带来显著提升。

FDS6675BZ参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -

FDS6675BZ厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS6675BZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS6675BZ FDS6675BZ数据手册

FDS6675BZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.8568
9000+ ¥ 0.8425
15000+ ¥ 0.8211
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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