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FDS6930B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS6930B SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS6930B

FDS6930B概述

    FDS6930B Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    FDS6930B 是一款由深圳市华轩阳电子有限公司生产的高性能双N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品主要用于电池保护、负载开关以及不间断电源系统等应用领域。凭借先进的沟槽技术,它提供了卓越的低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和极低的工作门限电压(最低为2.5V),使其非常适合各种开关应用。

    2. 技术参数


    - 主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 最大栅源电压(VGS): +20V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TA=25℃ 时:6A
    - TA=70℃ 时:5A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 30A
    - 最大总功耗(PD): 2W
    - 存储温度范围(TSTG): -55°C 到 150°C
    - 工作结温范围(TJ): -55°C 到 150°C
    - 热阻抗(Rthj-a): 最大362.5°C/W
    - 静态参数:
    - 击穿电压(BVDSS): 30V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=4.5V 时:42mΩ(典型值)
    - VGS=10V 时:30mΩ(典型值)
    - 栅体漏电流(IGSS): ±100nA
    - 阈值电压(VGS(th)): 1.2V 至 2.4V(典型值 1.8V)
    - 饱和电流(ID(ON)): 30A(典型值)
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss): 255 至 310pF
    - 输出电容(Coss): 45pF
    - 反向传输电容(Crss): 35 至 50pF
    - 总栅极电荷(Qg): 2.55 至 6.3nC
    - 上升时间(tr): 2.5ns
    - 关断延迟时间(tD(off)): 14.5ns
    - 恢复电荷(Qrr): 2.2nC

    3. 产品特点和优势


    FDS6930B 的主要优势包括:
    - 低导通电阻(RDS(ON)): 在 VGS=4.5V 时小于 42mΩ,在 VGS=10V 时小于 30mΩ。
    - 低栅极电荷: Qg 在 2.55 至 6.3nC 之间,有助于减少开关损耗。
    - 宽工作电压范围: 支持低至 2.5V 的工作门限电压,适用于广泛的电路设计。
    - 高可靠性: 稳定的工作结温范围和较大的热阻抗使得该器件在恶劣环境下依然可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    FDS6930B 主要应用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。以下是一些具体的应用场景及使用建议:
    - 电池保护: 通过低导通电阻和高可靠性的特性,可以在电池充放电过程中有效保护电池,延长其使用寿命。
    - 负载开关: 在负载开关应用中,其低栅极电荷特性可以显著降低功耗,提高能效。
    - 不间断电源系统: 高可靠性使其在关键应用中更为适用,确保电源系统的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    FDS6930B 的 SOP-8 封装标准且通用,与多种现有的电子元器件兼容。深圳市华轩阳电子有限公司提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中能够获得必要的帮助和技术指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何正确选择栅极驱动电压?
    - A: 推荐使用 VGS 为 4.5V 或 10V,以达到最佳性能。
    - Q:如何避免过热导致的损坏?
    - A: 确保散热设计合理,避免长时间在极限工作条件下运行。
    - Q:如何减少电磁干扰?
    - A: 采用适当的电路布局和滤波措施,如添加旁路电容。

    7. 总结和推荐


    FDS6930B 双N沟道增强型MOSFET 以其卓越的性能、低功耗和高可靠性,成为了电池保护、负载开关及不间断电源系统的理想选择。其宽泛的工作电压范围和较低的栅极电荷特性使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在各类需要高性能开关器件的应用中使用 FDS6930B。

FDS6930B参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -

FDS6930B厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS6930B数据手册

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FDS6930B封装设计

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9000+ ¥ 0.7222
15000+ ¥ 0.7038
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