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IRF9389PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF9389PBF SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF9389PBF

IRF9389PBF概述


    产品简介


    基本介绍
    IRF9389PBF是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的双沟道增强型N+P-通道MOSFET。这款器件采用了先进的沟槽技术,旨在提供出色的静态导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷,且能够在最低4.5V的栅极电压下正常工作。IRF9389PBF适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDS(漏源电压):±30V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 连续漏极电流(TA=25℃):±7A / ±8.5A
    - 脉冲漏极电流:±20A / ±28A
    - 单脉冲雪崩能量:72mJ / 62mJ
    - 热阻(结-环境):1℃/W
    - 存储温度范围:-55℃至150℃
    - 工作结温范围:-55℃至150℃
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:30V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):25mΩ @ VGS=10V,35mΩ @ VGS=-10V
    - 栅阈电压:1.0V至2.5V
    - 总栅极电荷:7.2nC
    - 输入电容:370pF
    - 输出电容:54pF
    - 反向转移电容:40pF

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:提供了更低的RDS(ON)和更高的工作效率。
    - 低栅极电荷:降低了开关损耗,提高了效率。
    - 低栅极电压操作:可在4.5V低电压下工作,适用于电池供电系统。
    - 宽广的工作温度范围:-55℃至150℃,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:通过控制电路实现电池充电和放电过程中的过流和短路保护。
    - 负载开关:用于断开和连接负载,实现负载的稳定控制。
    - 不间断电源:在主电源失效时提供后备电源,确保设备不间断运行。
    使用建议
    - 散热设计:由于较高的热阻,建议采用有效的散热措施以保持较低的结温,延长器件寿命。
    - 电路布局:合理布局电路,减少寄生电感和电容,提高整体电路性能。

    兼容性和支持


    - 封装:SOP-8封装,适合表面贴装工艺。
    - 制造商支持:厂商提供技术支持和维修服务,可通过官网或指定销售点获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压超过±20V导致损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压不超过±20V,使用合适的栅极电阻和保护电路。
    - 问题:高温环境下出现性能下降。
    - 解决方案:在设计时考虑散热方案,使用散热片或散热风扇,确保器件工作在安全范围内。

    总结和推荐


    IRF9389PBF是一款性能卓越、应用广泛的MOSFET器件,尤其适用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。其先进的沟槽技术和低栅极电荷使得它在低电压、高效率应用中表现出色。虽然需要注意散热和电气参数的限制,但在正确设计和使用条件下,这款产品无疑是一个可靠的选择。因此,我强烈推荐该产品用于相关应用场合。

IRF9389PBF参数

参数
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -

IRF9389PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF9389PBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF9389PBF IRF9389PBF数据手册

IRF9389PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.6365
9000+ ¥ 0.6259
15000+ ¥ 0.61
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交货地:
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