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H1SS355TE-17

产品分类: 其他二极管
产品描述:
供应商型号: H1SS355TE-17 SOD-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 其他二极管 H1SS355TE-17

H1SS355TE-17概述

    H1SS355TE-17 Switching Diode: 技术手册解读

    产品简介


    H1SS355TE-17 是一款采用SOD-323封装的硅二极管,专为快速开关应用设计。这款二极管适用于多种电子电路,特别是在需要高频率开关的应用中表现出色。它广泛应用于通讯设备、电源管理和计算机外围设备等领域。

    技术参数


    以下是H1SS355TE-17的关键技术参数:
    - 非重复峰值反向电压(VRM): 100V
    - 重复峰值反向电压(VRRM): 100V
    - 工作峰值反向电压(VRWM): 100V
    - 直流阻断电压(VR): 100V
    - 有效反向电压(VR(RMS)): 71V
    - 连续正向电流(IFM): 300mA
    - 平均整流输出电流(IO): 150mA
    - 正向浪涌电流(@t=8.3ms, IFSM): 2.0A
    - 功率耗散(Pd): 200mW
    - 热阻(Junction to Ambient, RθJA): 625℃/W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    H1SS355TE-17的主要特点和优势包括:
    - 高速开关性能: 最大反向恢复时间仅为4ns,适合高频应用。
    - 高可靠性: 具有出色的热稳定性和广泛的温度范围,适合各种严苛环境。
    - 低功耗: 200mW的功率耗散使得其在小型设备中表现出色。
    - 高安全性: 非重复峰值反向电压高达100V,可以承受瞬时高压冲击。

    应用案例和使用建议


    H1SS355TE-17的典型应用包括电源转换器、逆变器、通信设备和计算机接口等。在实际应用中,建议根据具体需求选择合适的封装和额定值。例如,在高频信号处理系统中,应选择具有较低热阻和较高额定电流的产品以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准SOD-323封装的电子元件兼容。厂商提供了详细的技术支持和维护信息,用户可以通过访问官方网站获取更多资源和技术文档。同时,购买后可享受一定期限内的质保服务。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方法包括:
    - 反向电压超出额定值:
    - 解决方案:检查电路设计,确保输入电压不超过最大额定值。

    - 发热严重:
    - 解决方案:优化散热设计,如增加散热片或改善气流条件。

    总结和推荐


    总体来看,H1SS355TE-17是一款高性能的快速开关二极管,具备优秀的高速开关性能和广泛的工作温度范围。对于需要高频应用的电子产品来说,H1SS355TE-17是一个理想的选择。如果您正在寻找一种可靠且高效的解决方案,H1SS355TE-17无疑是值得考虑的选项。
    通过以上内容,希望您对H1SS355TE-17有了全面的认识,并能在未来的项目中成功应用这一优秀的电子元件。

H1SS355TE-17参数

参数
Vr-反向电压 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -

H1SS355TE-17厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

H1SS355TE-17数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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H1SS355TE-17封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.0712
15000+ ¥ 0.0693
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