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IRF8113PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF8113PBF SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF8113PBF

IRF8113PBF概述

    # IRF8113PBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    IRF8113PBF 是一款由 HUA XUANYANG ELECTRONICS CO.,LTD 生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件采用SOP-8封装形式,适用于电池保护和负载开关等多种应用场合。其主要功能是通过先进的沟槽技术实现极低的导通电阻和高可靠性操作,适用于多种电源管理和控制场景。
    应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源系统
    - 其他开关应用

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID):18A
    - 连续漏电流(TC=70℃):8.2A
    - 脉冲漏电流(IDM):42A
    - 最大功耗(PD):1.5W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ,TSTG):-55℃到150℃
    - 热阻(Junction-to-Case, RθJC):36℃/W
    电气特性
    - 导通电阻(RDS(ON))
    - VGS=10V时,ID=10A:6.5mΩ
    - VGS=4.5V时,ID=8A:12mΩ
    - 门阈电压(VGS(th)):1.2V
    - 门源漏电流(IDSS)
    - VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃:1μA
    - VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃:5μA
    - 门源漏电流(IGSS)
    - VGS=±20V,VDS=0V:±100nA
    - 正向跨导(gfs):5.8S
    - 门电阻(Rg):2.2Ω至3.8Ω
    - 总门电荷(Qg)
    - VDS=15V,VGS=4.5V,ID=10A:12.6nC 至 17.6nC
    - 门源电荷(Qgs):4.2nC 至 5.9nC
    - 门源电容(Qgd):5.1nC 至 7.1nC
    - 开启延迟时间(Td(on)):6.2ns 至 12.4ns
    - 上升时间(Tr):59ns 至 106ns
    - 关断延迟时间(Td(off)):27.6ns 至 55ns
    - 下降时间(Tf):8.4ns 至 16.8ns

    产品特点和优势


    - 出色的导通电阻(RDS(ON)):在不同工作条件下提供较低的导通电阻,显著提高效率。
    - 低门电荷:有助于降低驱动功率,减少热耗散。
    - 高可靠性操作:能够承受高电压和大电流,适合于恶劣环境下的使用。
    - 宽工作温度范围:适用于广泛的工业和汽车应用。
    - 高击穿电压:30V 的高击穿电压增强了系统的安全性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:通过精确控制电池的充放电过程,保护电池免受过压和过流损害。
    - 负载开关:可以高效地切换高电流负载,提高电路的整体效率。
    使用建议
    - 热管理:由于较高的热阻,需要特别注意散热设计,以避免过热现象。
    - 电路布局:建议将 MOSFET 靠近功率元件,减少寄生电感和电阻,提高系统整体稳定性。

    兼容性和支持


    - 封装:SOP-8(SO-8)
    - 品牌:HXY MOSFET
    - 数量:每包 3000 PCS
    - 兼容性:广泛应用于各种电池保护板和负载开关电路,可以与其他常见的 MOSFET 和电源管理芯片配合使用。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:工作温度超过极限值。
    - 解决方案:确保工作环境符合产品规定的温度范围,并采取适当的散热措施。
    2. 问题:热阻过高导致温度升高。
    - 解决方案:改善电路设计,增加散热片或其他冷却机制。
    3. 问题:启动延迟时间过长。
    - 解决方案:适当调整电路参数,选择合适的驱动电阻。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF8113PBF 以其出色的导通电阻和低门电荷特性,在电池保护和负载开关应用中表现出色。其广泛的工作温度范围和可靠的电气特性使其成为电力管理和控制应用的理想选择。
    推荐
    鉴于其高性能和广泛的应用场景,强烈推荐 IRF8113PBF 作为电池保护和负载开关的理想电子元器件。在进行具体设计时,建议仔细考虑散热和电路布局,以充分发挥其性能优势。

IRF8113PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -

IRF8113PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF8113PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF8113PBF IRF8113PBF数据手册

IRF8113PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.663
9000+ ¥ 0.652
15000+ ¥ 0.6354
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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