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IRF7413ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF7413ZPBF SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF7413ZPBF

IRF7413ZPBF概述


    产品简介


    IRF7413ZPBF 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的N沟道增强型MOSFET。其主要功能是用作电池保护或开关应用中的功率转换组件。该产品采用先进的沟槽技术制造,能够提供低导通电阻和低栅极电荷,在4.5V的栅极电压下仍能正常工作。其典型应用场景包括电池保护、负载开关和不间断电源系统等。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(ID) | - | 15.0 | - | A |
    | 瞬态漏极电流(IDM) | - | 42 | - | A |
    | 最大耗散功率(PD) | - | 1.5 | - | W |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | 62 | - | mJ |
    | 绝对最大额定温度(TJ) | -55 | - | 150 | ℃ |
    | 热阻(RθJC) | - | 36 | - | ℃/W |
    电气特性
    | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 饱和漏源电阻(RDS(ON)) | VGS=10V, ID=10A | - | 7.5 | 9 | mΩ |
    VGS=4.5V, ID=8A | - | 11 | 14 | mΩ |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
    | 前向跨导(gfs) | VDS=5V, ID=10A | - | 5.8 | - | S |

    产品特点和优势


    IRF7413ZPBF 主要具有以下几个优势:
    - 先进的沟槽技术:提供了极低的导通电阻(RDS(ON)),使得在电池保护和开关应用中表现出色。
    - 低栅极电荷:有助于减少驱动电路的能量消耗,提高效率。
    - 宽泛的工作电压范围:能够在4.5V至10V的栅极电压范围内稳定工作。
    - 高可靠性:适用于需要高可靠性的场合,如不间断电源系统和负载开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护:IRF7413ZPBF 可以作为锂离子电池组的保护开关,防止过充电或过放电。
    - 负载开关:在工业自动化设备中,用作直流电机或感性负载的控制开关。
    - 不间断电源:用于在主电源中断时切换到备用电源,确保设备连续运行。
    使用建议:
    - 在使用IRF7413ZPBF作为电池保护开关时,确保设置合理的过流保护阈值,避免因过流导致损坏。
    - 在负载开关应用中,考虑驱动电路的输出能力,选择合适的栅极电阻以实现快速开关。
    - 在不间断电源系统中,应注意热管理,确保散热措施有效。

    兼容性和支持


    IRF7413ZPBF 采用标准的SOP-8封装,易于焊接和集成到现有设计中。该产品与其他主流品牌和型号的N沟道MOSFET具有良好的互换性。深圳华宣阳公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和售后服务热线。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,MOSFET出现过热现象。
    - 解决方案:确保散热片足够大,提高热传导率,或者使用更大尺寸的封装。

    2. 问题:电路在瞬态状态下频繁重启。
    - 解决方案:检查输入电压波动情况,增加滤波电容,以减小瞬态电压的影响。
    3. 问题:器件损坏,怀疑栅极被击穿。
    - 解决方案:确认输入电压是否超过最大额定值,检查驱动电路是否有异常。

    总结和推荐


    IRF7413ZPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及广泛的应用范围。它适合用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用场合。其独特的技术特性和广泛的应用范围使其在市场上具备较强的竞争力。对于需要高效、可靠的功率转换解决方案的工程师和设计师来说,IRF7413ZPBF 是一个值得考虑的选择。强烈推荐在相关项目中使用该产品。

IRF7413ZPBF参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -

IRF7413ZPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF7413ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7413ZPBF IRF7413ZPBF数据手册

IRF7413ZPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.1305
9000+ ¥ 1.1117
15000+ ¥ 1.0834
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