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ZXMN2F30FH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN2F30FH SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN2F30FH

ZXMN2F30FH概述


    产品简介


    ZXMN2F30FH 电子元器件概述
    ZXMN2F30FH 是一款由华宣阳电子有限公司(HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种元器件采用先进的沟槽技术制造,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷及低至2.5V的门控电压操作。主要应用包括电池保护、负载开关和不间断电源系统。本产品采用SOT-23封装,适合在多种电路设计中使用。

    技术参数


    主要参数
    - 漏源电压 (VDS):20V
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 连续漏电流 (ID):2.8A
    - 脉冲漏电流 (IDM):16A
    - 最大功率耗散 (PD):0.9W
    - 工作温度范围 (TJ,TSTG):-55°C 至 150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):20V
    - 零门电压漏电流 (IDSS):1μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):0.5V 至 1.2V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON))
    - VGS=2.5V, ID=2A:44mΩ 至 56mΩ
    - VGS=4.5V, ID=2.8A:35mΩ 至 40mΩ
    - 前向跨导 (gFS):8S
    - 输入电容 (Clss):260pF
    - 输出电容 (Coss):48pF
    - 反向传输电容 (Crss):27pF
    - 开启延迟时间 (td(on)):2.5ns
    - 上升时间 (tr):3.2ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):21ns
    - 下降时间 (tf):3ns
    - 总栅极电荷 (Qg):2.9nC 至 5nC
    - 栅源电荷 (Qgs):0.4nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):0.6nC
    热阻参数
    - 热阻,结到环境 (RθJA):139°C/W

    产品特点和优势


    ZXMN2F30FH 具有以下几个独特的优势:
    1. 低导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS=4.5V 条件下,RDS(ON) 最大为 40mΩ,这使得其在多种应用中能够高效运作。
    2. 低门电压操作:最低门电压仅为 2.5V,适应更广泛的控制电路需求。
    3. 先进的沟槽技术:确保了优异的电气性能和可靠性。
    4. 广泛的应用领域:适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:ZXMN2F30FH 可用于锂离子电池等高精度充电管理电路中,确保电池在充电过程中的安全和稳定。
    2. 负载开关:作为负载开关使用时,它能够在高速切换条件下保持稳定的电流输出。
    3. 不间断电源:应用于不间断电源系统中,提高系统的可靠性和效率。
    使用建议
    - 在选择合适的电源电压时,应确保漏源电压不超过 20V,以避免超过最大额定值。
    - 考虑到栅极电容的影响,在快速切换应用中需要合理设计驱动电路。
    - 在高可靠性应用中,建议在最终产品测试阶段对产品进行严格的性能验证。

    兼容性和支持


    ZXMN2F30FH 与市面上常见的 PCB 板材和电路布局具有良好的兼容性,可轻松集成到现有的电路设计中。华宣阳电子有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于:
    - 产品文档和技术资料
    - 客户技术支持热线
    - 产品生命周期管理和更新通知

    常见问题与解决方案


    问题一:ZXMN2F30FH 在高温环境下运行表现不佳
    解决方案:检查并确认散热措施是否得当。确保使用适当的散热片或风扇以降低器件的温升,防止过热导致性能下降。
    问题二:器件在高频率切换时出现异常行为
    解决方案:优化驱动电路的设计,减少栅极电荷影响,选用合适的门极电阻以降低开关损耗。
    问题三:在脉冲操作时发现电流不稳
    解决方案:根据数据手册中的脉冲操作条件调整电路设计,确保不会超过最大电流限制。

    总结和推荐


    总体而言,ZXMN2F30FH 以其出色的电气性能和广泛的应用范围成为了一款值得推荐的产品。尤其在需要高效、低功耗的场合,如电池管理系统和不间断电源等,ZXMN2F30FH 的优越表现将大大提升系统的整体性能和可靠性。对于那些寻求高性能、低成本解决方案的设计工程师来说,ZXMN2F30FH 是一个理想的选择。

ZXMN2F30FH参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -

ZXMN2F30FH厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN2F30FH数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN2F30FH ZXMN2F30FH数据手册

ZXMN2F30FH封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1673
9000+ ¥ 0.1645
15000+ ¥ 0.1603
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