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NTD5867NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTD5867NLT4G TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTD5867NLT4G

NTD5867NLT4G概述

    NTD5867NLT4G N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD5867NLT4G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。该器件特别适用于电池保护和开关应用,具备卓越的 RDS(ON)(导通电阻)和低门极电荷,可在最低 4.5V 的门极电压下工作。这款 MOSFET 以其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,在工业和消费电子领域具有重要的应用价值。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 V(BR)DSS: 60V
    - 门体泄漏电流 lGSS: ±100nA
    - 门限电压 VGS(th): 1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻 RDS(on):
    - VGS = 10V 时,典型值为 25mΩ,最大值为 32mΩ
    - VGS = 4.5V 时,典型值为 31.5mΩ,最大值为 40mΩ
    - 转导电导率 gfs: 15.5S
    - 输入电容 Ciss: 1355pF
    - 输出电容 Coss: 60pF
    - 门极电荷 Qg: 22nC
    - 静态和动态特性
    - 连续漏极电流 ID:
    - TC=25℃ 时,20A
    - TC=100℃ 时,10A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS: 38mJ
    - 最大额定功率 PD: 34.7W
    - 存储温度范围 TSTG: -55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围 TJ: -55℃ 至 150℃
    - 封装信息
    - 封装类型: TO-252-2L
    - 引脚排列: PIN1-G,PIN2-D,PIN3-S

    3. 产品特点和优势


    NTD5867NLT4G MOSFET 的独特功能和优势使其在各种应用场景中表现出色:
    - 高可靠性:适用于高电流和高电压的应用环境。
    - 低导通电阻:低至 25mΩ 的 RDS(on),可有效降低功耗和提高效率。
    - 宽工作温度范围:-55℃ 至 150℃ 的工作温度范围确保在极端环境下仍能稳定运行。
    - 快速开关特性:低门极电荷(Qg)和快速开关时间,确保高效能的电力转换。
    - 先进沟槽技术:先进的制造工艺提供了优异的性能和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护电路
    - 开关电源
    - 不间断电源 (UPS)
    - 电动车辆控制系统
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,应注意选择合适的门极驱动电压,以确保 MOSFET 正常工作。
    - 在高电流应用中,要确保散热良好,以防止过热导致器件损坏。
    - 对于高功率应用,可以考虑并联多个 MOSFET 以分担电流。

    5. 兼容性和支持


    NTD5867NLT4G MOSFET 与大多数标准接口兼容,易于集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括技术咨询、样品申请和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 无法达到预期的导通电阻。
    - 解决方法: 确保门极驱动电压符合要求(至少 4.5V),检查焊接质量和连接是否正确。

    - 问题: 设备在高温环境下出现异常。
    - 解决方法: 使用适当的散热措施,如增加散热片或风扇,确保设备在正常温度范围内运行。

    - 问题: 功耗过高。
    - 解决方法: 选择合适的门极驱动电压,减少不必要的切换频率,并确保良好的散热条件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTD5867NLT4G MOSFET 在各方面均表现出色,适用于多种高电流和高电压的应用场合。其低导通电阻、快速开关特性和宽工作温度范围使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐此款 MOSFET 用于需要高效能和高可靠性的电子系统设计。

NTD5867NLT4G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

NTD5867NLT4G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTD5867NLT4G数据手册

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NTD5867NLT4G封装设计

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