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NTD6415ANLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTD6415ANLT4G TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTD6415ANLT4G

NTD6415ANLT4G概述

    # NTD6415ANLT4G N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD6415ANLT4G 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 推出的高性能 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。这款器件具有出色的低导通电阻(RDS(ON))、较低的栅极电荷(Qg),并且能够在低至 4.5V 的栅极电压下正常工作。它特别适用于电池保护电路和开关应用,如不间断电源(UPS)系统、负载开关及电池管理系统等领域。
    主要功能
    - 低导通电阻:RDS(ON) < 48mΩ (VGS=10V)
    - 高可靠性:可承受高达 100V 的漏源电压(VDS)
    - 优化的动态性能:快速开关速度和低开关损耗
    - 先进的封装:TO-252-2L 封装,适合紧凑设计
    应用领域
    - 电池保护电路
    - 负载开关
    - 不间断电源(UPS)
    - 开关电源转换器
    - 通用电子控制设备

    技术参数


    以下是 NTD6415ANLT4G 的详细技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) | - | 100 | - | V |
    | ID(连续漏电流) | 30 13 | A |
    | RDS(ON)(导通电阻) | - | 48 | - | mΩ |
    | Ciss(输入电容) | - | 1964 | - | pF |
    | Coss(输出电容) | - | 90 | - | pF |
    | Qg(总栅极电荷) | - | 20 | - | nC |
    | td(on)(导通延迟时间) | - | 11 | - | ns |
    | tf(关断时间) | - | 71 | - | ns |
    工作环境
    - 结温范围:-55°C 至 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻(结到壳):3.6°C/W

    产品特点和优势


    特点
    1. 高效率:低 RDS(ON) 和 Qg 值使得器件具备高效率,降低了功耗。
    2. 快速响应:快速开关速度提高了系统的整体性能。
    3. 高可靠性:宽广的工作温度范围确保了其在恶劣环境下的稳定运行。
    4. 先进封装:TO-252-2L 封装提供优异的散热性能和便捷安装。
    优势
    - 适合各种便携式和小型化电子设备。
    - 出色的热管理和长时间稳定性。
    - 极高的耐用性和抗干扰能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护电路:用于防止过流、短路等情况发生。
    2. 不间断电源(UPS):在停电时提供临时电力支持。
    3. 负载开关:实现对不同负载的智能控制。
    使用建议
    - 在设计电池保护电路时,注意选择合适的电阻值以避免误触发。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高功率应用场景下。
    - 对于高频开关应用,优化 PCB 布局以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    NTD6415ANLT4G 与多种电路板和模块兼容,适合集成到现有的电子产品中。Shenzhen HuaXuanYang Electronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括样品供应、定制化服务和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查驱动电压是否达到要求 |
    | 开关速度慢 | 检查电路布局是否合理,尤其是栅极电阻设置 |
    | 温度过高 | 增加散热片或改进散热方案 |

    总结和推荐


    NTD6415ANLT4G N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高度可靠的高性能电子元器件,适用于广泛的工业和消费类应用。凭借其卓越的导通电阻、快速开关能力和紧凑封装,它在电池管理、负载开关和不间断电源等领域表现出色。对于需要高效能、高可靠性的电子设备,这款器件是一个理想的选择。
    综上所述,我们强烈推荐 NTD6415ANLT4G 作为高端电子产品的核心组件。

NTD6415ANLT4G参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -

NTD6415ANLT4G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTD6415ANLT4G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G数据手册

NTD6415ANLT4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 1.7464
12500+ ¥ 1.702
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