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HAONR21321

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HAONR21321 DFN3X3-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HAONR21321

HAONR21321概述

    HAONR21321 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HAONR21321 是一款由华宣阳电子有限公司(HXY)生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它采用先进的沟槽工艺制造,具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在最低4.5V的栅极电压下运行。此款MOSFET适用于电池保护、开关应用等多种场合。

    技术参数


    以下是HAONR21321的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - VDS(漏-源电压):-30V
    - VGS(栅-源电压):±20V
    - ID@TC=25℃(连续漏电流,VGS=-10V):-50A
    - PD@TC=25℃(总功率耗散):37W
    - TSTG(存储温度范围):-55℃至150℃
    - TJ(工作结温范围):-55℃至150℃
    - 电气特性(除非另有说明,测试温度TJ=25℃):
    - BVDSS(漏-源击穿电压):-30V
    - RDS(ON)(静态漏-源导通电阻):
    - VGS=-10V时:典型值9mΩ,最大值13mΩ
    - VGS=-4.5V时:典型值16mΩ,最大值22mΩ
    - Qg(总栅极电荷):典型值22nC
    - Ciss(输入电容):典型值2215pF

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽工艺:保证了低RDS(ON),适合高效率应用。
    2. 低栅极电荷:减少开关损耗,提高系统效率。
    3. 宽泛的工作电压:4.5V即可启动,适用于多种供电系统。
    4. 高温稳定性:能在-55℃到150℃范围内正常工作,适合极端环境。
    5. 高可靠性:适合用于需要长期稳定性的工业和汽车电子领域。

    应用案例和使用建议


    HAONR21321可以应用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。例如,在电池保护应用中,它可以有效地控制电池充放电过程,防止过充和过放。使用建议如下:
    1. 电路设计时:确保外部电路符合最大额定值要求,避免瞬态电流导致损坏。
    2. 散热管理:由于总功率耗散为37W,需要良好的散热措施,特别是在高温环境下。

    兼容性和支持


    该产品与多数标准电子设备兼容。华宣阳电子提供技术支持和售后服务,帮助客户解决应用中的问题。此外,厂商提供了详细的封装信息和图纸,便于集成到现有设计中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 额定电压能否超出最大值?
    - 解答: 不建议长时间超过最大额定值使用,可能导致永久性损坏。
    2. 问题: 温度影响性能如何?
    - 解答: 温度会影响RDS(ON),建议在极端温度下进行热管理。
    3. 问题: 如何测量栅极电荷?
    - 解答: 可以使用示波器测量脉冲电压下的Qg值,参见手册中的图4。

    总结和推荐


    总体而言,HAONR21321是一款高性能的P沟道增强型MOSFET,具有出色的RDS(ON)、低栅极电荷和宽泛的工作电压。适合电池保护、负载开关和不间断电源等应用。尽管厂商提供了详细的使用指南和技术支持,但在设计复杂系统时仍需注意安全性措施,避免因误用导致的安全隐患。因此,我强烈推荐此产品用于高可靠性要求的应用场合。

HAONR21321参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -

HAONR21321厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HAONR21321数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAONR21321 HAONR21321数据手册

HAONR21321封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.513
15000+ ¥ 0.5045
25000+ ¥ 0.4916
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