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NVTFS5826NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFS5826NL DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFS5826NL

NVTFS5826NL概述

    NVTFS5826NL N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVTFS5826NL 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HuaXuanYang Electronics)生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷(Gate Charge)以及低至 4.5V 的门限电压操作能力。这种器件适用于电池保护、负载开关和不间断电源(UPS)等多种应用场景。

    技术参数


    以下是 NVTFS5826NL 的关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):25℃时为 30A,100℃时为 16A
    - 脉冲漏电流 (IDM):90A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):42mJ
    - 总功率耗散 (PD):25℃时为 33W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (RθJA):162°C/W
    - 结壳热阻 (RθJC):3.79°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60V
    - 漏源泄漏电流 (IDSS):1μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):10V 时为 24mΩ,4.5V 时为 31mΩ
    - 输入电容 (Ciss):1060pF
    - 输出电容 (Coss):64pF
    - 反向传输电容 (Crss):54pF
    - 总栅极电荷 (Qg):26nC
    - 栅源电荷 (Qgs):5.7nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):5.2nC
    - 源电流 (IS):20A
    - 脉冲源电流 (ISM):90A
    - 正向开启电压 (VSD):1.2V
    - 体二极管反向恢复时间 (Trr):18ns
    - 体二极管反向恢复电荷 (Qrr):13nC

    产品特点和优势


    NVTFS5826NL 具有以下显著优势:
    - 低导通电阻:最低导通电阻仅为 24mΩ,能够在多种工作条件下提供高效的电流传输。
    - 高耐压能力:额定漏源电压高达 60V,适用于需要高电压工作的应用场景。
    - 低栅极电荷:26nC 的总栅极电荷使得开关速度更快,有助于降低功耗。
    - 宽工作温度范围:可以在极端温度环境下稳定工作,适用范围广泛。
    - 优异的热性能:较低的热阻使得器件能够在高功率密度环境中稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护:可用于手机、笔记本电脑等便携式设备的电池保护电路,确保电池在各种环境下的安全使用。
    - 负载开关:适用于需要频繁开关的应用场合,如数据中心的电源管理系统。
    - 不间断电源(UPS):在停电时能够快速切换到备用电源,保障关键设备的持续运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要充分考虑散热问题,选择合适的散热片以确保器件在高电流下正常工作。
    - 使用适当的栅极驱动器来控制 MOSFET 的开关速度,避免过高的开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,以防止器件因过热而损坏。

    兼容性和支持


    NVTFS5826NL 采用标准的 DFN3X3-8L 封装,便于与多种电路板进行集成。HuaXuanYang Electronics 提供全面的技术支持和服务,包括产品选型指导、应用技术支持以及售后服务,确保用户能够高效利用这一高性能 MOSFET。

    常见问题与解决方案


    问题一:在高温环境下工作时,器件易过热。
    解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用水冷系统。
    问题二:开启和关闭时间较长。
    解决方案:选用适当的栅极驱动器,降低栅极电荷,从而加快开关速度。
    问题三:输出电压不稳定。
    解决方案:检查电路连接是否正确,确认负载情况是否符合预期。

    总结和推荐


    NVTFS5826NL 是一款高性能、低功耗、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种应用场景,特别是在需要高可靠性、宽工作温度范围和良好热性能的场合。其优异的电气特性和广泛的兼容性使其成为电池保护、负载开关和不间断电源系统等领域的理想选择。强烈推荐在相关项目中使用此产品。
    通过上述技术手册的内容解析,我们可以清晰地了解到 NVTFS5826NL 的各项性能指标和应用潜力。希望这些信息能帮助工程师们更好地选择和使用这款高性能的 MOSFET。

NVTFS5826NL参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -

NVTFS5826NL厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFS5826NL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFS5826NL NVTFS5826NL数据手册

NVTFS5826NL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.3944
15000+ ¥ 1.3712
25000+ ¥ 1.3363
库存: 720000
起订量: 5000 增量: 5000
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