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IRFR120ZTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,适用于100V电压环境下的高效能应用。额定电流高达12A,尤其适合电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备低导通电阻与优良散热性能,是现代电子设备中理想的功率半导体元件选择。
供应商型号: IRFR120ZTRPBF TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF概述

    IRFR120ZTRPBF N-SGT Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR120ZTRPBF 是一款来自华宣阳电子(HuaXuanYang Electronics)的N沟道超结增强型MOSFET。这款MOSFET采用先进的SGT MOSFET技术,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷、快速开关性能及出色的雪崩特性。适用于消费电子电源管理、电机控制和同步整流等领域。

    技术参数


    以下是该产品的技术规格:
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(ID):12A
    - 脉冲漏电流(ID, pulse):24A
    - 功耗(PD):17W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1.2mJ
    - 工作和存储温度范围(Tstg,Tj):-55°C 至 150°C
    - 热阻(RθJC):6.6°C/W
    - 热阻(RθJA):62°C/W
    - 输入电容(Ciss):最大 196pF
    - 输出电容(Coss):最大 25.9pF
    - 反向转移电容(Crss):最大 21.4pF
    - 总栅极电荷(Qg):最大 4.3nC
    - 栅源电荷(Qgs):最大 3.5nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):最大 3.1nC
    - 关断延时时间(td(off)):最大 20.9ns
    - 关断下降时间(tf):最大 2.7ns

    产品特点和优势


    IRFR120ZTRPBF 具备以下特点和优势:
    - 低RDS(ON):最大值仅为120mΩ(VGS=10V时),使得功率损耗显著降低。
    - 高可靠性:先进的SGT技术提供了卓越的雪崩特性和高击穿电压。
    - 快速开关性能:出色的动态特性,如总栅极电荷(Qg)仅为4.3nC,使得开关速度更快。
    - 优异的热稳定性:热阻值较低,可有效散热,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于多种应用,例如消费电子的电源管理模块、电机驱动电路和同步整流电路。在实际应用中,建议遵循以下使用建议以获得最佳性能:
    - 选择合适的散热器:考虑到其较高的功耗,需要配备有效的散热器以避免过热。
    - 正确布线:尽量缩短引脚长度以减少寄生电感,提高整体性能。
    - 负载匹配:根据实际负载需求调整工作条件,避免超过最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFR120ZTRPBF 支持标准的TO-252-2L(DPAK)封装,与市场上多数小型贴片封装相兼容。
    - 支持:制造商华宣阳电子提供了详尽的技术文档和在线技术支持服务,帮助客户解决安装和调试过程中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:安装高效的散热装置,并确保周围环境通风良好。
    - 问题2:器件出现过热现象。
    - 解决方案:检查负载情况,确保不超过额定电流;如果仍存在问题,考虑增加散热措施。
    - 问题3:电路工作不稳定。
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有连接稳固,并合理布置电路板。

    总结和推荐


    总体来看,IRFR120ZTRPBF 是一款高性能、可靠且具备广泛应用领域的N沟道超结增强型MOSFET。它在功率转换效率、稳定性以及耐热性能方面表现突出,适用于各种高要求的应用场合。如果您正在寻找一款既能满足高效能需求又能保持良好稳定性的MOSFET,IRFR120ZTRPBF 绝对是一个值得考虑的选择。

IRFR120ZTRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252-2L

IRFR120ZTRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR120ZTRPBF数据手册

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IRFR120ZTRPBF封装设计

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