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IRFH3702TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,专为高功率密度应用打造。额定电压30V,具备60A连续电流处理能力,尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型大电流设备,提供出色的导通性能与散热效率,是现代电子设备高效能功率控制的理想解决方案。
供应商型号: IRFH3702TRPBF DFN-8L(3X3)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFH3702TRPBF

IRFH3702TRPBF概述


    产品简介


    产品类型:
    IRFH3702TRPBF 是一种 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),专为开关应用设计。
    主要功能:
    - 具有出色的低 RDS(ON) 特性。
    - 能够在低至 4.5V 的栅极电压下运行。
    - 适用于电池保护、负载开关和其他开关应用。
    应用领域:
    - 电池保护系统
    - 负载开关
    - 不间断电源(UPS)
    - 各种开关电路

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 30 | - | - | V |
    | VGS | ±20 | - | - | V |
    | ID@TC=25℃ | 60 | - | - | A |
    | ID@TC=100℃ | 20 | - | - | A |
    | IDM | - | - | 140 | A |
    | EAS | - | - | 115.2 | mJ |
    | AAS | - | - | 48 | A |
    | PD@TC=25℃ | - | - | 59 | W |
    | PD@TA=25℃ | - | - | 2 | W |
    | TSTG | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | - | - | 62 | ℃/W |
    | RθJC | - | - | 2.1 | ℃/W |

    产品特点和优势


    1. 低 RDS(ON): 在 VGS=10V 条件下,RDS(ON) 可低至 6mΩ,极大降低了导通损耗。
    2. 高电流承载能力: 连续电流可达 60A,脉冲电流可达 140A,适用于高电流应用。
    3. 宽工作温度范围: 存储温度范围为 -55℃ 到 150℃,确保在极端环境下的稳定运行。
    4. 优秀的热阻特性: 热阻 RθJA 为 62℃/W,RθJC 为 2.1℃/W,保证了良好的散热性能。
    5. 高可靠性: 采用先进的沟槽技术,提高了长期工作的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池保护系统:在电池充电和放电过程中提供过流保护。
    - 负载开关:用于控制大电流负载的通断,如电机驱动等。
    - 不间断电源(UPS):在主电源故障时提供即时电力供应。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施以保持正常工作。
    - 选择合适的栅极电阻(Rg),以优化开关速度和减少功耗。
    - 考虑到 EAS 额定值,确保在短路情况下器件能够安全承受瞬态电压和电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRFH3702TRPBF 具有标准的 8 引脚封装(PQFN-8 (3.1x3.1)),易于与其他电子元器件集成。
    - 技术支持: HUA XUANYANG Electronics 提供全面的技术支持和售后保障,包括样品申请、技术支持和工程咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高电流工作条件下,器件温度过高。
    - 解决方案: 使用散热片或散热器增加散热面积,降低器件温度。
    2. 问题: 开关速度不够快。
    - 解决方案: 减小栅极电阻(Rg)值,提高开关速度。
    3. 问题: 噪声干扰严重。
    - 解决方案: 添加滤波电容和去耦电容,改善信号完整性。

    总结和推荐


    IRFH3702TRPBF N 沟道 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率管理器件。它具有低 RDS(ON)、高电流承载能力和宽工作温度范围等显著优点。适用于电池保护、负载开关等多种开关应用。通过合理的设计和布局,可以实现高效的能量管理和可靠的系统运行。因此,我强烈推荐该产品给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。

IRFH3702TRPBF参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IRFH3702TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFH3702TRPBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFH3702TRPBF IRFH3702TRPBF数据手册

IRFH3702TRPBF封装设计

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15000+ ¥ 1.2125
25000+ ¥ 1.1816
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