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IPD40DP06NMATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET,专为中等电压、大电流应用设计。额定电压60V,连续电流承载能力高达10A,适用于电源转换、负载开关及电池管理系统,具备低导通电阻和优越热性能,是现代电子设备高效能功率控制的理想选择。
供应商型号: IPD40DP06NMATMA1 TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IPD40DP06NMATMA1

IPD40DP06NMATMA1概述


    产品简介


    IPD40DP06NMATMA1 是一款高性能的P沟道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),适用于电池保护和开关应用。该产品具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能够在4.5V的门极电压下正常运行。主要功能包括提供出色的RDS(ON)特性、较低的栅极电荷和高效的开关性能。其典型应用领域包括无刷电机、负载开关和不间断电源系统。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDS): -60V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏电流(ID@TC=25℃): -10A
    - 脉冲漏电流(IDM): -26A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 29.8mJ
    - 雪崩电流(IAS): -24.4A
    - 总功耗(PD@TC=25℃): 31.3W
    - 储存温度范围(TSTG): -55至150℃
    - 工作结温范围(TJ): -55至150℃
    - 热阻(RθJA): 62℃/W
    - 热阻(RθJC): 4.0℃/W
    - 电气特性
    - 栅极阈值电压(VGS(th)): -1.0至-2.5V
    - 栅极泄漏电流(IGSS): ±100nA(VGS=±20V,VDS=0V)
    - 前向跨导(gfs): 5.8S(VDS=-5V,ID=-5A)
    - 总栅极电荷(Qg): 5.85nC(VDS=-20V,VGS=-4.5V,ID=-5A)
    - 开启延迟时间(Td(on)): 10ns
    - 关断延迟时间(Td(off)): 22ns
    - 反向恢复时间(trr): 10.2ns

    产品特点和优势


    - 优异的RDS(ON):在VGS=10V时,RDS(ON) < 140mΩ,这使得该器件在低损耗开关应用中表现出色。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)仅为5.85nC,这有助于减少开关损耗,提高能效。
    - 宽工作电压范围:能够在4.5V的门极电压下正常运行,适应不同的应用场景。
    - 高可靠性:严格的温度范围和热阻参数确保了器件在极端环境下的稳定性能。
    - 适配多种应用:适用于无刷电机、负载开关及不间断电源系统,显示出其在不同领域的广泛适用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 无刷电机控制:利用IPD40DP06NMATMA1作为无刷电机驱动电路中的关键开关组件,可实现高效、稳定的电机控制。
    2. 负载开关:该器件可以在高功率负载切换应用中发挥重要作用,例如计算机服务器中的电源管理模块。
    3. 不间断电源系统:作为电池保护组件,保证电源系统的持续稳定运行。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到其较高的总功耗,应在PCB设计中增加散热片或采用大面积铜箔以提高散热效率。
    - 电路布局:注意电路布局的合理性,确保栅极驱动信号线和主电路线的分离,避免不必要的干扰。
    - 参数选择:根据实际应用需求合理选择门极驱动电阻值,以优化开关速度和降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品符合TO-252-2L封装标准,可直接替换市场上同类型的其他器件。
    - 技术支持:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括但不限于技术咨询、样品请求和定制化解决方案等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化电路布局,增大散热面积;降低开关频率 |
    | RDS(ON)异常升高 | 检查输入电压是否在规定范围内,确认安装过程是否正确 |
    | 噪声干扰严重 | 屏蔽输入输出引脚,优化电路布线 |

    总结和推荐


    综上所述,IPD40DP06NMATMA1凭借其优异的RDS(ON)性能、低栅极电荷和宽泛的工作电压范围,展现了出色的开关特性和可靠性。它不仅适用于各种复杂的应用环境,还能有效提升系统整体性能。因此,强烈推荐在相关项目中使用该器件。
    对于追求高效、可靠电力转换及管理系统的工程师们来说,IPD40DP06NMATMA1无疑是一个值得信赖的选择。

IPD40DP06NMATMA1参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252-2L

IPD40DP06NMATMA1厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IPD40DP06NMATMA1数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IPD40DP06NMATMA1 IPD40DP06NMATMA1数据手册

IPD40DP06NMATMA1封装设计

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7500+ ¥ 1.3216
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