处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLML9303TRPBF

IRLML9303TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款P沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压下的中等功率应用。提供4.1A连续电流处理能力,特别优化于电源转换、负载开关和电池管理系统,具备低导通电阻及卓越的热性能,是现代便携式和紧凑型电子设备的理想功率控制组件。
供应商型号: IRLML9303TRPBF SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML9303TRPBF

IRLML9303TRPBF概述

    IRLML9303TRPBF P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML9303TRPBF 是由深圳华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的 P-Channel 增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品适用于电池保护和其他开关应用。凭借其高功率处理能力和低导通电阻,IRLML9303TRPBF 能够在各种电源管理和 PWM 应用中发挥出色表现。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS): -30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -13A
    - 最大功率耗散 (PD): 1.32W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA): 125°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)): <56mΩ (VGS=10V)
    - 门阈电压 (VGS(th)): -1.2V
    - 栅漏电荷 (Qg): <463nC
    - 门源电荷 (Qgs): <82nC
    - 门漏电荷 (Qgd): <95nC

    产品特点和优势


    IRLML9303TRPBF 具有以下显著特点和优势:
    - 高功率和电流处理能力:支持高达 -4.1A 的连续漏极电流。
    - 低导通电阻:在 VGS=10V 时,导通电阻小于 56mΩ,适合高效率应用。
    - 低温升特性:热阻为 125°C/W,有助于在高负载条件下保持稳定的性能。
    - 卓越的开关特性:具备快速的开关时间和低栅极电荷,适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护:在电池管理系统中用于过流保护。
    - PWM 应用:作为电机驱动器中的开关元件,提高效率和响应速度。
    - 负载开关:在电源管理电路中实现精确控制。
    使用建议:
    - 在选择 MOSFET 时,确保其漏源电压和漏极电流满足系统需求。
    - 使用适当的散热措施,以防止过热损坏。
    - 对于高频应用,考虑其开关时间特性,以避免信号失真。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRLML9303TRPBF 采用 SOT-23 封装,可与其他标准 SOT-23 封装的器件兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和应用指南,便于客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热
    - 解决方法:增加散热片或使用热管,确保良好的热管理。

    - 问题2:漏电流过高
    - 解决方法:检查栅源电压是否正确设置,必要时更换 MOSFET。
    - 问题3:开关时间不一致
    - 解决方法:确保所有连接点紧固,避免信号干扰,使用适当的滤波电路。

    总结和推荐


    总体而言,IRLML9303TRPBF P-Channel MOSFET 是一款出色的高性能器件,特别适合电池保护和电源管理应用。其高可靠性、低功耗和快速响应特性使其成为许多电子系统的理想选择。我们强烈推荐该产品用于需要高效和可靠电力控制的应用场合。
    以上是根据技术手册整理的 IRLML9303TRPBF 产品介绍和分析。希望这些信息能帮助您更好地了解该产品的特性和应用场景。

IRLML9303TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -
通用封装 SOT-23

IRLML9303TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML9303TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF数据手册

IRLML9303TRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1944
9000+ ¥ 0.1912
15000+ ¥ 0.1863
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 583.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336