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IRFR3709ZTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为30V电压下的大电流应用设计。具备高达80A连续电流处理能力,适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有卓越的低导通电阻与高效散热性能,是现代电子设备实现高效功率控制的理想解决方案。
供应商型号: IRFR3709ZTRPBF TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR3709ZTRPBF

IRFR3709ZTRPBF概述


    产品简介


    IRFR3709ZTRPBF 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它具备优秀的低导通电阻(RDS(ON)),可在最低 4.5V 的栅极电压下正常工作。这款 MOSFET 适用于电池保护和各种开关应用,如不间断电源系统(UPS)、负载开关等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TC=25℃): 80A
    - 连续漏电流 (TC=100℃): 51A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 320A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 88mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 42A
    - 功率耗散 (TC=25℃): 54W
    - 热阻 (RθJA): 62℃/W
    - 储存温度范围 (TSTG): -55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围 (TJ): -55℃ 至 150℃
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 6.8mΩ (VGS=10V, ID=20A)
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1V 至 2.5V
    - 门限电压温度系数 (△VGS(th)): -4mV/℃
    - 门电荷 (Qg): 11.1nC
    - 关断延迟时间 (Td(off)): 35.2ns
    - 反向恢复时间 (trr): —— (Junction Temperature (TJ)=25℃)

    产品特点和优势


    IRFR3709ZTRPBF 具有以下几个独特的优势:
    - 低导通电阻:具有非常低的 RDS(ON),在 VGS=10V 时仅 6.8mΩ,使得功率损耗更低,效率更高。
    - 宽温度范围:能够在 -55℃ 到 150℃ 的极端温度范围内稳定工作。
    - 高可靠性和耐用性:出色的抗雪崩能力和高电流承载能力,适用于高可靠性要求的应用场合。
    - 低栅电荷:拥有较低的 Qg 值,有助于减少开关过程中的能量损失,提高整体能效。

    应用案例和使用建议


    IRFR3709ZTRPBF 在多种应用场景中表现出色,特别是在电池保护和不间断电源系统(UPS)中。为了更好地发挥其性能,我们建议:
    - 合理布局:确保 PCB 布局有利于散热,以保持较低的工作温度。
    - 合适栅极驱动:使用适当的栅极驱动器以避免过度驱动或欠驱动,从而影响性能。
    - 并联使用:在高电流需求的应用中,可以考虑多只 IRFR3709ZTRPBF 并联使用,以分担电流,提高稳定性。

    兼容性和支持


    IRFR3709ZTRPBF 采用 TO-252-2L 封装,易于安装且广泛应用于工业和消费电子产品中。深圳华轩阳公司提供详细的技术文档和支持,确保客户能够正确使用和维护该产品。如有任何疑问或技术支持需求,建议联系当地代理商或直接咨询制造商。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或热管来帮助散热。
    - 问题:栅极驱动电压过高导致栅极损坏。
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动电路,限制栅极电压不超过最大额定值。
    - 问题:在高电流情况下,MOSFET 容易过热。
    - 解决方案:考虑使用散热片或风扇进行主动冷却,并适当降低工作频率。

    总结和推荐


    IRFR3709ZTRPBF 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有出色的 RDS(ON) 和较低的栅电荷,适合用于电池保护和高可靠性要求的应用。它的宽温度范围和高可靠性使其成为许多应用场景的理想选择。对于需要高效率和稳定性的场合,我们强烈推荐使用 IRFR3709ZTRPBF。

IRFR3709ZTRPBF参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252-2L

IRFR3709ZTRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR3709ZTRPBF数据手册

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IRFR3709ZTRPBF封装设计

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7500+ ¥ 0.7847
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