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IRF7476PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用标准SOP-8封装,专为高电流应用设计。额定电压20V,具备强大的20A连续电流处理能力,是电源转换、电机驱动及负载开关的理想选择。该器件以其出色的导通性能和在紧凑空间内的高效能表现,广泛应用于各类消费电子产品中。
供应商型号: IRF7476PBF SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF7476PBF

IRF7476PBF概述

    IRF7476PBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术概述

    产品简介


    IRF7476PBF 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 制造的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款器件采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷 (Qg),并且能够在最低 4.5V 的栅源电压下正常运行。IRF7476PBF 非常适用于电池保护电路、负载开关以及不间断电源 (UPS) 等应用。

    技术参数


    以下是 IRF7476PBF 的关键技术和性能参数:
    - 额定电压 (VDS):20V
    - 连续漏极电流 (ID):20A (TC=25℃),16A (TC=70℃)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):140A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):162mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):57A
    - 功率耗散 (PD):3.1W (TC=25℃)
    - 热阻 (RθJA):40℃/W
    其他重要参数包括:
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):≤5.5mΩ (VGS=4.5V)
    - 输入电容 (Ciss):3080~4630pF
    - 输出电容 (Coss):520~960pF
    - 反向传输电容 (Crss):350~810pF
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):小于 10uA
    详细图表展示了 IRF7476PBF 的开关特性、电容特性、体二极管性能及温升曲线。

    产品特点和优势


    1. 高性能导通电阻:较低的 RDS(ON) 值使其能够有效降低功耗并提升效率。
    2. 高可靠性:通过先进的沟槽技术实现更稳定的工作状态。
    3. 低驱动电压需求:能够在较低的 VGS 条件下工作,适配现代低电压系统。
    4. 优异的短时雪崩能力:能够承受高达 162mJ 的单脉冲雪崩能量,适用于需要瞬态保护的应用场景。

    应用案例和使用建议


    IRF7476PBF 在多种应用场景中表现出色,典型用途包括:
    1. 电池保护电路:用于监控和切断过载或短路电流。
    2. 负载开关:快速响应以减少功耗并提高电路稳定性。
    3. 不间断电源 (UPS):确保在电力中断时保持设备持续运行。
    使用建议:
    - 配合合适的驱动电路使用以充分发挥其低导通电阻的优势。
    - 在设计中考虑热管理,特别是在高温环境下要确保良好的散热条件。

    兼容性和支持


    IRF7476PBF 支持标准 SOP-8 封装,便于与其他电子元件集成。制造商提供详尽的技术支持文档,帮助客户进行选型与调试。此外,针对售后问题,客户可以联系当地的 HuaXuanYang 销售代表寻求进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    1. 问题:设备发热严重。
    解决方法:增加散热片或选择更大功率的封装型号。
    2. 问题:开启延迟时间过长。
    解决方法:检查驱动电路是否匹配,优化栅极电阻值。
    3. 问题:雪崩保护失效。
    解决方法:确认雪崩能量是否超出器件额定范围,调整外部电路设计。

    总结和推荐


    总体而言,IRF7476PBF 是一款性能卓越、应用广泛的 N 沟道 MOSFET。其优秀的导通电阻、低功耗特性以及广泛的应用范围使其成为许多现代电子设计的理想选择。我们强烈推荐在电池保护、负载开关和 UPS 等场合使用该产品。如果您的设计需要更高的耐压能力或更低的导通电阻,则需进一步权衡具体需求后再行选用。
    最终评价:⭐⭐⭐⭐⭐
    推荐指数:★★★★★

IRF7476PBF参数

参数
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8

IRF7476PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF7476PBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7476PBF IRF7476PBF数据手册

IRF7476PBF封装设计

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9000+ ¥ 0.7363
15000+ ¥ 0.7176
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