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IRFR3806TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为处理60V电压下的大电流应用。额定连续电流高达50A,特别适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和卓越散热效能,是现代电子产品实现高效能功率控制的理想半导体元件。
供应商型号: IRFR3806TRPBF TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR3806TRPBF

IRFR3806TRPBF概述

    IRFR3806TRPBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFR3806TRPBF 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HXYMOS)生产的N沟道增强型MOSFET。这款MOSFET具备低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷(Qg)以及适用于低至4.5V门极电压的操作条件。它主要用于电池保护、负载开关以及不间断电源系统等场合。该器件采用先进的沟槽技术,确保了优异的性能和可靠性。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和电气特性:
    - 额定电压 (VDS):60V
    - 连续漏极电流 (ID):1A @ TC=25℃, 1A @ TC=100℃
    - 脉冲漏极电流 (IDM):取决于具体测试条件
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):39.2mJ
    - 雪崩电流 (IAS):28A
    - 总功率耗散 (PD):45W @ TC=25℃, 2W @ TA=25℃
    - 热阻 (RθJA):62℃/W
    - 正向导通电阻 (RDS(ON)):典型值11mΩ @ VGS=10V, 15mΩ @ VGS=4.5V
    - 门阈电压 (VGS(th)):1.2V ~ 2.5V
    - 输入电容 (Ciss):2423pF @ 15V, 1MHz
    - 输出电容 (Coss):145pF
    - 反向传输电容 (Crss):97pF
    - 反向恢复时间 (trr):16.3ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):11nC

    3. 产品特点和优势


    IRFR3806TRPBF 的主要特点和优势包括:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):低至11mΩ,特别适合需要高效率的应用。
    - 低门极电荷 (Qg):低至19.3nC,有助于提高开关速度并减少功耗。
    - 宽工作温度范围:存储温度范围为-55℃到150℃,确保在恶劣环境下的可靠运行。
    - 先进的沟槽技术:提高了整体性能和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFR3806TRPBF 在多种场合中均有广泛应用,例如电池保护、负载开关及不间断电源系统等。以下是几项具体的应用案例及使用建议:
    - 电池保护:用于防止过流和短路现象,确保电池系统的安全性。
    - 负载开关:可实现高效的开关操作,减少损耗。
    - 不间断电源系统:提升电源管理效率,确保电力供应的连续性和稳定性。
    使用建议:
    - 热管理:确保良好的散热设计以避免器件过热,尤其是在高功率应用中。
    - 驱动电路:考虑使用适当的驱动电路以优化开关特性,减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    IRFR3806TRPBF 与其他电子元器件和设备的兼容性良好。深圳市华轩阳电子有限公司提供了全面的技术支持和服务,包括产品文档、设计指南和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:工作时发热严重。
    - 解决方案:改善散热设计,增加散热片或风扇等辅助散热措施。
    - 问题:导通电阻过大。
    - 解决方案:检查门极驱动电压是否达到标准,必要时更换更合适的驱动电路。
    - 问题:器件失效。
    - 解决方案:确保器件的工作条件符合规定要求,避免超过最大额定值使用。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IRFR3806TRPBF 是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOSFET。其低导通电阻、低门极电荷以及宽泛的工作温度范围使其成为各种应用的理想选择。无论是电池保护还是负载开关,该器件均能表现出色。推荐用户在需要高效、可靠的电力转换和管理场合下选用此产品。

IRFR3806TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252-2L

IRFR3806TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR3806TRPBF数据手册

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IRFR3806TRPBF封装设计

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