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HC4D10120A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 描述: 该碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有1200V高反向耐压及10A大电流处理能力,其正向导通电压VF低至1.35V。专为高效能、高压电源转换系统设计,广泛应用于新能源汽车充电、工业逆变器等场合,实现快速恢复与低损耗的优质整流性能。
供应商型号: HC4D10120A TO-220-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HC4D10120A

HC4D10120A概述

    # 1.2kV Silicon Carbide Schottky Rectifier HC4D10120A 技术手册

    产品简介


    产品类型与功能
    HC4D12100A 是一款高性能的 1.2kV 硅碳化物肖特基整流器(Silicon Carbide Schottky Rectifier),专为高频率开关操作而设计。它具备零反向恢复电流(Zero Reverse Recovery Current)的特点,使其在高效率电源转换中有显著优势。
    应用领域
    该产品适用于多种高要求的电力电子应用领域,包括:
    - 开关模式电源(Switch Mode Power Supplies, SMPS)
    - PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管(Boost diodes in PFC or DC/DC stages)
    - 逆变器阶段的自由轮转二极管(Free-Wheeling Diodes in Inverter stages)
    - AC/DC 转换器

    技术参数


    最大额定值
    - 重复峰值反向电压 \( V{RRM} \): 1200V
    - 冲击峰值反向电压 \( V{RSM} \): 1300V
    - 直流峰值反向电压 \( VR \): 1200V
    - 连续正向电流 \( IF \):
    - 33A (TC=25˚C)
    - 16A (TC=135˚C)
    - 10A (TC=156˚C)
    - 重复峰值正向冲击电流 \( I{FRM} \):
    - 47A (TC=25˚C, tP=10ms, 半正弦脉冲)
    - 31.5A (TC=110˚C, tP=10ms, 半正弦脉冲)
    - 非重复正向冲击电流 \( I{FSM} \):
    - 71A (TC=25˚C, tP=10ms, 半正弦脉冲)
    - 59.5A (TC=110˚C, tP=10ms, 半正弦脉冲)
    - 非重复峰值正向电流 \( I{F,Max} \):
    - 750A (TC=25˚C, tP=10ms, 脉冲)
    - 620A (TC=110˚C, tP=10ms, 脉冲)
    - 功率耗散 \( P{tot} \):
    - 166.5W (TC=25˚C)
    - 72W (TC=110˚C)
    典型电气特性
    - 正向电压 \( VF \):
    - 1.5V (IF=10A, TJ=25˚C)
    - 2.2V (IF=10A, TJ=175˚C)
    - 反向电流 \( IR \):
    - 30μA (VR=1200V, TJ=25˚C)
    - 55μA (VR=1200V, TJ=175˚C)
    - 总电容 \( C \):
    - 754pF (VR=0V, TJ=25˚C, f=1MHz)
    - 45pF (VR=400V, TJ=25˚C, f=1MHz)
    - 38pF (VR=800V, TJ=25˚C, f=1MHz)

    产品特点和优势


    优势
    - 零反向恢复电流: 消除了传统肖特基二极管的反向恢复损耗,使得整体效率显著提升。
    - 高频操作: 能够支持高频率开关操作,适应现代高频电力电子应用的需求。
    - 温度独立开关特性: 工作温度范围广,性能稳定。
    - 快速开关特性: 有助于减少热沉需求,提高系统效率。
    - 正温度系数在 VF 上: 平衡并联设备时无需担心热失控问题。
    特点
    - 替换双极二极管: 具备替代传统双极二极管的优势。
    - 几乎无开关损耗: 极低的开关损耗使得效率显著提升。
    - 减少热沉需求: 在高功率应用中减少了冷却系统的复杂度和成本。
    - 并行设备不发生热失控: 热稳定性良好,适合大规模并行应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源(SMPS): 利用其高效率和快速响应特性,在电源转换中表现出色。
    - PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管: 减少损耗,提高整体系统效率。
    - 逆变器阶段的自由轮转二极管: 改善系统可靠性,降低散热需求。
    - AC/DC 转换器: 适用于需要高频、高效转换的应用场合。
    使用建议
    - 散热设计: 在高温环境下工作时,确保良好的散热设计以维持正常性能。
    - 驱动电路: 由于该二极管具有非常快的开关速度,建议使用低噪声的驱动电路来避免不必要的信号干扰。
    - 并行应用: 当多个二极管并联使用时,注意保持各器件之间的均匀电流分布,以避免个别器件过载。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品与市面上常见的 TO-220 封装设备兼容,便于直接替换现有器件。
    厂商支持
    - Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD: 提供全面的技术支持,包括产品选型指导、技术支持和售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题: 设备出现异常发热
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保足够的冷却措施。

    2. 问题: 性能不稳定
    - 解决方案: 检查供电电压和电流是否在额定范围内,并检查周围温度是否在合理范围内。
    3. 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查驱动电路是否合适,必要时可以考虑使用专用的驱动芯片。

    总结和推荐


    综合评估
    HC4D10120A 作为一款高性能的硅碳化物肖特基整流器,在多个关键参数上表现出色。其零反向恢复电流、高频率操作能力和温度独立开关特性使其在现代电力电子应用中具有明显优势。
    推荐
    综上所述,鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 HC4D10120A 硅碳化物肖特基整流器。其独特的特性使其成为电力电子系统中不可或缺的组件,尤其是在高效率和高可靠性要求的应用中。

HC4D10120A参数

参数
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
通用封装 TO-220-2L

HC4D10120A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC4D10120A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC4D10120A HC4D10120A数据手册

HC4D10120A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 4.992
150+ ¥ 4.9088
250+ ¥ 4.784
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交货地:
最小起订量为:50
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