处理中...

首页  >  产品百科  >  MUR1620CT

MUR1620CT

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 描述: 这款采用TO-220封装的高性能快恢复二极管,具备200V高反向耐压及16A大电流承载能力,其正向导通电压VF低至0.975V。专为高效能、大电流整流应用设计,适用于开关电源、逆变器及电机驱动系统,提供快速恢复与低损耗特性。
供应商型号: MUR1620CT TO-220AB
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 整流二极管/整流桥 MUR1620CT

MUR1620CT概述

    # Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes MUR1610-1660CT

    产品简介


    基本介绍
    Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes(超快恢复整流二极管)MUR1610-1660CT 系列属于高效能二极管,适用于多种电子电路中。这些二极管具备快速恢复时间、高浪涌电流承受能力和卓越的可靠性,特别适合用于开关电源、转换器、续流二极管以及反向电池保护等领域。
    应用领域
    - 开关电源
    - 转换器
    - 续流二极管
    - 反向电池保护

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 单位 | 规格 |

    | 重复峰值反向电压 | VRRM | V | 100, 150, 200, 400, 600 |
    | 平均整流输出电流 | Io | A | 18 @ 60Hz 半正弦波,R负载,Tc(图1) |
    | 浪涌非重复性正向电流 | IFSM | A | 100 @ 60Hz 半正弦波,1个周期,Ta=25℃ |
    | 存储温度 | Tstg | ℃ | -55 ~ +150 |
    | 结温 | Tj | ℃ | -55 ~ +150 |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 测试条件 | 规格 |

    | 最大瞬时正向电压降 | VFM | V | IFM=15A | 0.975 |
    | 在额定直流阻断电压下的最大直流反向电流 | IRRM1 | μA | VRM=VRRM, Ta=25℃ | 10 |
    | 在125℃时的反向电流 | IRRM2 | μA | VRM=VRRM, Ta=125℃ | 250 |
    | 反向恢复时间 | Trr | ns | IF=0.5A, IRM=1A, IRR=0.25A | 25 |

    产品特点和优势


    - 超快恢复时间:Trr 仅为25ns,适用于高频切换应用。
    - 高浪涌电流能力:IFSM高达100A,能够应对瞬时大电流冲击。
    - 低正向电压降:VFM为0.975V @ 15A,确保低功耗运行。
    - 高可靠性:通过RoHS认证,无铅,满足UL 94 V-0标准的阻燃要求。
    - 温度适应范围广:存储和工作温度范围宽,从-55℃到+150℃。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    MUR1610-1660CT 系列广泛应用于各类开关电源和转换器中。例如,在电源适配器中,这些二极管能够有效减少损耗,提高效率,同时确保系统稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于工作时产生的热量较高,需保证良好的散热设计,避免热失控。
    - 反向电流保护:选择合适的外部电容以吸收瞬时反向电流,确保系统稳定。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 封装:采用TO-220C封装,具有标准化引脚布局,易于安装和替换。
    - 材料:符合RoHS标准,环保无铅,且具有良好的机械强度。
    支持
    - 制造商支持:深圳市华轩阳电子有限公司提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 售后服务:确保及时响应客户咨询和售后问题,提供技术支持和备件供应。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 工作时温度过高 | 检查散热片是否正常安装,考虑增加散热措施。 |
    | 反向恢复时间过长 | 更换相同封装但性能更高的二极管。 |
    | 整流效率低 | 检查是否有外部寄生电感或电容影响。 |

    总结和推荐


    综合评估
    MUR1610-1660CT系列二极管以其超快的恢复时间、高浪涌电流能力和出色的可靠性成为开关电源和转换器的理想选择。其在高功率、高频应用场景中的表现尤为出色,能够显著提升系统的整体性能。
    推荐使用
    我们强烈推荐将 MUR1610-1660CT系列二极管用于需要高效率和高可靠性的场合。通过合理的设计和安装,它们将为您的项目带来显著的优势。

MUR1620CT参数

参数
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 250μA
Vr-反向电压 200V
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
通用封装 TO-220
应用等级 工业级
零件状态 在售

MUR1620CT厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

MUR1620CT数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 整流二极管/整流桥 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 MUR1620CT MUR1620CT数据手册

MUR1620CT封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 1.224
150+ ¥ 1.2036
250+ ¥ 1.173
库存: 300000
起订量: 100 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 61.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
10A05 ¥ 0.9523
10CTQ150 ¥ 0
10MQ060N ¥ 0
10TQ035 ¥ 4.6875
11DQ05TR ¥ 0
12CWQ03FN ¥ 0
1616442-1 ¥ 1672.8
16FR120 ¥ 38.4087
1N270 ¥ 28.8003
1N4001 ¥ 0.0252