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HC4D10120D

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 碳化硅肖特基二极管 电压:1200V 电流:10A 二极管配置:1对共阴极 正向压降(Vf):1.4V@10A 直流反向耐压(Vr):1200V
供应商型号: HC4D10120D TO-247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HC4D10120D

HC4D10120D概述


    产品简介


    HC4D10120D 硅碳化物肖特基二极管是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的高性能电子元器件。作为一款1200伏的肖特基整流器,它具有多种卓越的功能和特性,适用于开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)和直流转换等应用领域。这款二极管以其零反向恢复电流、高频操作能力以及温度无关的开关特性而著称,使其在众多应用中表现优异。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 反向峰值电压 (VRRM):1200V
    - 峰值反向电压 (VRSM):1300V
    - 连续正向电流 (IF):19/38A(每个腿/设备)
    - 峰值正向电流 (IFRM):26A(每个腿,TC=25°C, tP=10ms, 半正弦脉冲)
    - 非重复性正向浪涌电流 (IFSM):46A(每个腿,TC=25°C, tP=10ms, 半正弦脉冲)
    - 功率耗散 (Ptot):93/187W(每个腿/设备,TC=25°C)
    - 电气特性:
    - 正向电压 (VF):1.4V(典型值),1.8V(最大值),TJ=25°C,IF=5A
    - 反向电流 (IR):20μA(典型值),150μA(最大值),VR=1200V,TJ=25°C
    - 总电容性充电量 (QC):27nC,VR=800V,IF=5A,di/dt=200A/μs,TJ=25°C
    - 存储电容能量 (EC):8.0μJ,VR=800V
    - 工作条件:
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C到+175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C到+135°C

    产品特点和优势


    HC4D10120D 硅碳化物肖特基二极管具有以下显著的特点和优势:
    - 无反向恢复电流:相比传统的二极管,它能够实现零反向恢复电流,从而减少开关损耗。
    - 高频率操作:适合高频应用,如开关模式电源。
    - 温度独立的开关特性:在不同温度条件下保持稳定的开关性能。
    - 极快的开关速度:能够快速切换,降低功耗并提高效率。
    - 替换双极二极管:单极二极管具有更高的效率,减少散热需求,且并联运行时不会产生热失控现象。

    应用案例和使用建议


    该二极管广泛应用于多种电力电子系统,包括:
    - 开关模式电源 (SMPS):用于高效能的电源转换。
    - PFC 或 DC/DC 阶段中的升压二极管:提高功率因数。
    - 逆变器阶段中的续流二极管:防止电压尖峰。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意降额使用,以避免过热损坏。
    - 选择合适的焊盘布局和安装扭矩,确保良好的热传导和机械稳定性。

    兼容性和支持


    HC4D10120D采用TO247-3L封装,易于与其他标准设备集成。深圳华轩阳公司提供详细的技术支持和售后服务,包括详尽的产品文档和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题:二极管发热严重
    - 解决方案:检查电路设计,增加散热措施或选择更高功率等级的型号。

    - 问题:电压超过最大额定值
    - 解决方案:确保电压不超过规定值,使用稳压电路或外部保护电路。

    总结和推荐


    HC4D10120D硅碳化物肖特基二极管以其出色的性能和多功能性,在多种电力电子应用中表现出色。其低功耗、高效率和可靠性使其成为理想的替代品。总体来说,这是一款值得推荐的高品质电子元器件。对于需要高效率和可靠性的应用场合,这款二极管是理想的选择。

HC4D10120D参数

参数
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
通用封装 TO-247-3L

HC4D10120D厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC4D10120D数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC4D10120D HC4D10120D数据手册

HC4D10120D封装设计

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