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PESD12VL1BA

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管专为12V系统设计,提供卓越的单通道瞬态保护。具备高达15A的峰值脉冲电流IPP能力,能有效吸收和抑制双向静电放电,确保电子设备免受过电压冲击。低至20pF的结电容保证高速信号传输不受干扰,是高可靠性、高速接口的理想ESD防护解决方案。
供应商型号: PESD12VL1BA SOD-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 PESD12VL1BA

PESD12VL1BA概述

    # PESD12VL1BA ESD保护二极管技术手册

    产品简介


    基本介绍
    PESD12VL1BA 是一款采用 SOD-323 封装的高性能 ESD 保护二极管,由深圳华轩阳电子有限公司生产。它具有低泄漏电流、低电容和出色的钳位能力,能够有效防止静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件对敏感电子组件造成损害或干扰。
    主要功能
    - 用于 ESD 和其他电压瞬态事件的保护
    - 高效的钳位能力
    - 低泄漏电流
    - 低电容
    应用领域
    PESD12VL1BA 广泛应用于各类电子设备中,特别是那些需要高可靠性的场合,例如计算机、通讯设备、汽车电子和工业控制等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 反向工作电压 | VRWM 12.0 | V
    | 击穿电压 | VBR | 13.0 15.5 | V | IT=1mA |
    | 泄漏电流 | ILeak | IR 100 | nA | VRWM=12V |
    | 钳位电压 | VC 14.0 | V | IPP=10A, Tp=8/20μs |
    18.0 | V | IPP=19A, Tp=8/20μs |
    | 结电容 | CJ 18.5 | 20 | pF | VR=0V, f=1MHz |
    | 峰值脉冲功率(tp=8/20μs) | PPPM 340 | W
    | 峰值脉冲电流(tp=8/20μs) | IPPM 19 | A
    | ESD 电压(空气放电) | VESD 30 | kV | IEC 61000-4-2 |
    | ESD 电压(接触放电) | VESD 30 | kV | IEC 61000-4-2 |
    | 焊接期间最大引线温度 | TL 260 | °C
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 150 | °C
    | 工作温度范围 | TOP | -40 125 | °C

    产品特点和优势


    独特功能
    - 双向 ESD 保护:适用于单条线路的双向 ESD 保护。
    - 快速响应时间:响应时间通常为 1ns,能迅速对瞬态事件做出反应。
    - 出色的钳位能力:低钳位电压(IPP=19A, Tp=8/20μs 时为 18V),有效减少瞬态电压对电路的影响。
    - 低泄漏电流:典型泄漏电流为纳安级,确保在正常工作条件下几乎无电流通过。
    市场竞争力
    - 广泛适用性:适用于多种电子设备,尤其是在需要高可靠性应用的场合。
    - 高效能:优秀的电气特性使其成为市场上同类产品的强有力竞争者。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 计算机和服务器主板:防止静电放电对 CPU、内存和其他关键组件的影响。
    - 汽车电子:保护车内电子控制系统免受静电和雷击等瞬态电压事件的干扰。
    - 工业控制设备:保障工业自动化设备在复杂电磁环境下稳定运行。
    使用建议
    - 在设计电路时,应根据实际需求选择合适的 ESD 保护策略,避免过度保护导致性能下降。
    - 在焊接过程中,确保焊接温度不超过 260°C,以防止损坏二极管。

    兼容性和支持


    兼容性
    - PESD12VL1BA 可以方便地集成到现有电路中,与其他标准 SOD-323 封装的元器件兼容。
    厂商支持
    - 深圳华轩阳电子有限公司提供详细的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | ESD 保护二极管失效 | 确保正确的焊接温度和焊接时间,检查是否有机械损伤或安装不当。 |
    | 工作温度超出额定范围 | 选择合适的温度范围内的产品,或者采取额外的散热措施。 |
    | 电路未达到预期的 ESD 保护效果 | 确认连接正确,且没有其他因素干扰 ESD 保护路径。 |

    总结和推荐


    综合评估
    PESD12VL1BA ESD 保护二极管是一款高性能、高可靠性的产品,具有出色的 ESD 保护能力和广泛的适用性。它的快速响应时间和低钳位电压特性使其成为电子设计中的理想选择。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐 PESD12VL1BA ESD 保护二极管用于需要高性能 ESD 保护的场合。无论是在家用电子产品还是工业设备中,这款产品都能够提供可靠的保护。

PESD12VL1BA参数

参数
工作电压 12V
箝位电压 18V
击穿电压 13V
峰值脉冲电流 19A
峰值脉冲功率 340W
极性 双向
通用封装 SOD-323
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PESD12VL1BA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

PESD12VL1BA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 PESD12VL1BA PESD12VL1BA数据手册

PESD12VL1BA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.109
15000+ ¥ 0.1063
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