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HD6956

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用先进TO-252-2L封装,拥有60V最大耐压及高达50A的持续电流能力。专为各类中高端消费电子产品设计,能显著提升开关电路效率,保证系统稳定运行,是您优化电源管理方案的理想之选。
供应商型号: HD6956 TO252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HD6956

HD6956概述

    HD6956 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HD6956 是一款高性能的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽工艺制造,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷及支持最低4.5V的栅极电压操作。这款器件适用于电池保护和开关电源应用,能够有效地控制电流并减少功耗。

    技术参数


    以下是HD6956的技术规格、性能参数、电气特性和工作环境:
    - 电压参数
    - VDS(漏源电压):60V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(VGS=10V):
    - TC=25℃:50A
    - TC=100℃:25A
    - TA=25℃:7.4A
    - TA=70℃:6A
    - 脉冲漏极电流:90A
    - 热特性
    - 热阻Junction-Ambient:62℃/W
    - 热阻Junction-Case:2.8℃/W
    - 其他特性
    - 额定脉冲雪崩能量:39.2mJ
    - 雪崩电流:28A
    - 存储温度范围:-55℃到150℃
    - 工作结温范围:-55℃到150℃

    产品特点和优势


    HD6956的主要特点是其低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。其在VGS=10V时的RDS(ON)小于15mΩ,使得它在高效率开关应用中表现出色。此外,其能够在4.5V的较低栅极电压下运行,非常适合便携式设备和电池供电系统。这些特性使HD6956成为电池保护和负载开关的理想选择,确保设备在极端条件下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    HD6956在以下几种应用场景中表现优异:
    - 电池保护:用于锂电池保护电路,防止过流和短路。
    - 负载开关:用于电源管理电路,实现精准的电流控制。
    - 不间断电源(UPS):作为关键的开关元件,确保电力供应的连续性。
    在使用HD6956时,建议注意以下几点:
    - 在设计电路时,需根据工作环境的温度和电流需求合理选择栅极驱动电压。
    - 在应用中,要确保负载电流不超过额定值,以避免过热和损坏。
    - 使用过程中需注意散热,避免高温导致器件失效。

    兼容性和支持


    HD6956采用TO252-2L封装,与大多数标准MOSFET驱动器兼容。Shenzhen HuaXuanYang Electronics公司提供全面的技术支持,包括产品文档、设计指南和故障排除手册。用户可以联系当地的销售代表获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是用户在使用HD6956时可能遇到的一些问题及其解决方案:
    1. 问题:设备在使用中过热
    - 解决方案:检查电路的设计是否合理,确保散热措施到位。如果需要,可以考虑增加散热片或使用更大的封装。
    2. 问题:器件工作不稳定
    - 解决方案:确认栅极驱动电压符合要求,且没有外部干扰影响。必要时,可以使用屏蔽线或滤波器来减少噪声。
    3. 问题:电流泄漏问题
    - 解决方案:检查焊点和接线是否可靠,确保没有短路发生。若发现问题,应及时修复或更换部件。

    总结和推荐


    综上所述,HD6956是一款具备高效率和高可靠性特点的N沟道增强型MOSFET,适用于多种开关电源和电池保护应用。其低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其在苛刻条件下依然表现出色。如果你正在寻找一款在便携式设备和电池供电系统中表现优秀的MOSFET,HD6956无疑是你的理想选择。强烈推荐给需要高性能开关控制的工程师和技术爱好者。

HD6956参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252-2L

HD6956厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HD6956数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HD6956 HD6956数据手册

HD6956封装设计

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