处理中...

首页  >  产品百科  >  IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于60V电压环境,额定电流3A。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源转换等场景,为电子设备提供高效能、稳定的功率控制解决方案。
供应商型号: IRLML0060TRPBF SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF概述

    # IRLML0060TRPBF 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRLML0060TRPBF 是由华轩阳电子科技有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD)生产的一款N沟道增强模式MOSFET。这类器件广泛应用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域,提供了卓越的性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 连续漏极电流(ID):3A
    - 导通电阻(RDS(ON)):小于85mΩ(VGS=10V)
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 最大脉冲电流(IDM):10A
    - 最大耗散功率(PD):1.7W
    - 工作温度范围(TJ,TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient):73.5°C/W
    - 输入电容(CISS):510pF
    - 输出电容(COSS):34pF
    - 反向传输电容(CRSS):26pF
    - 栅源电荷(QGS):1.4nC
    - 栅漏电荷(QGD):3nC
    - 总栅电荷(QG):7.5nC

    3. 产品特点和优势


    IRLML0060TRPBF 具备以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):小于85mΩ,使得功耗更低,效率更高。
    - 低门极电荷(QG):7.5nC,有助于减少开关损耗,提高电路效率。
    - 低门极驱动电压:仅需最低2.5V的门极电压即可工作,适用于多种低压电路应用。
    - 宽工作温度范围:支持从-55°C到150°C的温度范围,适应极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    IRLML0060TRPBF 在以下应用中表现优异:
    - 电池保护:在高能量密度的锂电池保护电路中提供可靠的安全防护。
    - 负载开关:适合需要频繁切换的应用,如电源管理电路。
    - 不间断电源(UPS):保证电源的稳定输出,确保关键设备不中断运行。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到该器件的最大功率耗散为1.7W,建议进行适当的散热设计以避免过热问题。
    - 布局优化:建议按照制造商提供的封装引脚图进行PCB布局,以提高电路的整体稳定性。

    5. 兼容性和支持


    IRLML0060TRPBF 使用标准的SOT-23封装,与市场上大多数SMT设备兼容。公司提供详细的技术文档和支持服务,包括电路设计指南和应用实例。用户可以通过公司官网(www.hxymos.com)获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:器件在高温环境下工作时,功率耗散增加。
    解决方案:设计合理的散热系统,如增加散热片或使用散热膏,确保器件在安全的工作范围内运行。
    问题2:开机瞬间出现较大的浪涌电流。
    解决方案:添加适当的缓冲电路,如RC吸收网络,来平滑电流变化,减少瞬态冲击。
    问题3:门极驱动电压不足导致器件无法正常开启。
    解决方案:检查电源电压是否符合要求,必要时使用升压电路提升门极电压。

    7. 总结和推荐


    总的来说,IRLML0060TRPBF 是一款非常适合于电池保护和开关应用的高性能N沟道MOSFET。其低导通电阻、低门极电荷和宽工作温度范围使其在各种应用场景中表现出色。推荐在需要高可靠性和高效率的应用中使用这款器件。
    通过严格的质量控制和广泛的应用测试,IRLML0060TRPBF 展现出了卓越的性能,可以作为众多电源管理和控制系统的理想选择。

IRLML0060TRPBF参数

参数
最大功率耗散 1.7W
Id-连续漏极电流 2.7A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 79pF
通道数量 -
栅极电荷 2.5nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 510pF
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-23

IRLML0060TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML0060TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF数据手册

IRLML0060TRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1562
9000+ ¥ 0.1536
15000+ ¥ 0.1497
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 468.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0