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IRLML2502TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计,具备低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器、电源转换等领域,实现精准可靠的功率控制与管理。
供应商型号: IRLML2502TRPBF SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF概述

    # IRLML2502TRPBF N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IRLML2502TRPBF 是一种由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术,具备极低的导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷以及能在低至2.5V的门电压下工作的特性。主要应用于电池保护电路、负载开关、不间断电源(UPS)等场景。

    技术参数


    极限参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):20 V
    - 栅源击穿电压 (VGS):±12 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C 时:6 A
    - TA = 70°C 时:3.6 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):15 A
    - 最大功率耗散 (PD):1.25 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ,TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA):100°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):20 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1 μA
    - 栅体漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 栅阈电压 (VGS(th)):0.5 V 至 1.0 V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 4.5V 时:< 27 mΩ
    - VGS = 2.5V 时:28 mΩ 至 40 mΩ
    - 前进跨导 (gFS):10 S
    - 输入电容 (Ciss):500 pF
    - 输出电容 (Coss):295 pF
    - 反向转移电容 (Crss):96 pF
    - 导通延时时间 (td(on)):11 nS
    - 导通上升时间 (tr):30 nS
    - 关断延时时间 (td(off)):35 nS
    - 关断下降时间 (tf):10 nS
    - 总栅极电荷 (Qg):10 nC 至 15 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):2.3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):2.9 nC
    - 二极管正向电压 (VSD):1.2 V
    - 二极管正向电流 (IS):4.5 A

    产品特点和优势


    特点
    1. 先进的沟槽技术:提供优秀的RDS(ON),确保低损耗。
    2. 低栅极电荷:有助于提高开关频率和降低驱动损耗。
    3. 宽工作门电压范围:2.5V即可正常工作,适用于低电压系统。
    4. 低热阻:保证长时间稳定工作,适合高功率应用。
    5. 封装小:SOT23 封装,节省空间,适合紧凑设计。
    优势
    - 高可靠性:广泛应用于电池保护、负载开关等关键应用。
    - 优化性能:低RDS(ON) 和 高输入电容,提供优异的开关性能。
    - 易于集成:小尺寸封装,便于布局和焊接,减少制造成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:用于保护电池免受过充和过放的影响。
    2. 负载开关:用于控制系统中的负载切换。
    3. 不间断电源(UPS):提供可靠的电源管理解决方案。
    使用建议
    - 散热管理:在高电流应用中需注意散热,确保良好通风或添加散热片。
    - 门极驱动:使用合适门极驱动器,以降低驱动损耗并提高效率。
    - PCB 设计:保持走线短而宽,减少寄生效应。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRLML2502TRPBF 可与多种电子系统和设备兼容,尤其适合在低功耗和高频开关应用中使用。与大多数标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。
    支持
    Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 提供全面的技术支持,包括详细的应用指南、参考设计和在线支持服务。购买前可联系当地销售代表获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保良好的散热措施,如加散热片或风扇。 |
    | 寿命短 | 检查电路设计,避免超过额定工作条件。 |
    | 开关速度慢 | 确保正确的门极驱动电压和波形。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRLML2502TRPBF 是一款高性能、低成本的N沟道MOSFET,适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用场景。它具备低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性等优点,在众多电子系统中表现出色。
    推荐
    强烈推荐使用 IRLML2502TRPBF 作为高可靠性应用中的关键组件,特别是在需要低功耗和高开关频率的场合。该器件不仅性能优异,而且具有广泛的兼容性和强大的技术支持,确保用户能够快速高效地完成项目开发。

IRLML2502TRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6.952nF@30V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 7.7nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 1.25W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF
通道数量 -
通用封装 SOT-23

IRLML2502TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML2502TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF数据手册

IRLML2502TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1428
9000+ ¥ 0.1404
15000+ ¥ 0.1369
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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