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FDN5630

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于60V电压系统,具备3A大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源转换等领域,实现高效、稳定的功率控制及转换功能。
供应商型号: FDN5630 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDN5630

FDN5630概述

    FDN5630 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDN5630 是由深圳市华选阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics CO., LTD)生产的一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它主要用于电池保护、负载开关及不间断电源等领域。FDN5630 在设计上注重低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适合使用门电压低至 2.5V 的应用。

    技术参数


    FDN5630 的主要技术参数如下:
    - 工作电压:最高耐压为 60V。
    - 连续漏极电流:最大 3A。
    - 瞬态漏极电流:最大 10A。
    - 功率耗散:最大 1.7W。
    - 温度范围:-55°C 到 150°C。
    - 热阻抗:结点到环境 73.5°C/W。
    - 导通电阻:在 VGS=10V 下 RDS(ON) 小于 85mΩ。
    - 输入电容:510pF。
    - 输出电容:34pF。
    - 反向转移电容:26pF。
    - 总栅极电荷:7.5nC。
    - 栅极-源极电荷:1.4nC。
    - 栅极-漏极电荷:3nC。

    产品特点和优势


    FDN5630 的关键特点是低导通电阻和低栅极电荷,使得其具有较高的效率和较低的功耗。这使得它特别适用于电池保护和负载开关的应用场景。此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C 到 150°C)也增加了其在极端环境下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    FDN5630 常用于电池保护、负载开关和不间断电源系统中。在电池保护方面,它可以有效地防止过流和短路,保护电池的安全运行。在负载开关应用中,它能够快速响应并控制负载电流。使用时,建议参考电路设计图(如图1所示),确保电路配置正确以最大化其性能。

    兼容性和支持


    根据手册信息,FDN5630 可以与其他常见的电子元器件和设备兼容。制造商提供了技术支持和质量保证,但需要注意的是,不建议将该产品应用于极高可靠性的应用场合(例如医疗设备、航空控制系统等),因为手册中明确指出不适用于此类应用。详细的操作规范和建议请参阅产品规格书。

    常见问题与解决方案


    手册中列出了几种常见的使用问题及其解决方案:
    1. 问题:过高的温度导致设备失效。
    解决方法:检查散热片的安装情况,确保良好的热传导。使用大尺寸散热片以增加热扩散能力。
    2. 问题:漏极电流超过额定值。
    解决方法:检查电路设计,确保负载不超过器件的额定电流值。必要时使用外部限流电路。

    总结和推荐


    总体而言,FDN5630 是一款高效且可靠的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种电子设备的电源管理。其低导通电阻和低栅极电荷使其在电池保护和负载开关应用中表现出色。虽然在极高可靠性应用中可能不适合,但对于大多数常规应用来说是一个很好的选择。建议根据具体应用场景进行详细测试和验证,以确保最佳性能。
    如果您需要进一步的技术支持或定制化解决方案,请联系供应商获取更多帮助。

FDN5630参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 510pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 1.7W
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
栅极电荷 2.1nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-23

FDN5630厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDN5630数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDN5630 FDN5630数据手册

FDN5630封装设计

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