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10N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 10N65 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) 10N65

10N65概述


    产品简介


    基本信息
    型号: 10N65
    制造商: 深圳华宣阳电子有限公司 (Huaxuanyang Electronics CO., LTD)
    网址: [www.hxymos.com](http://www.hxymos.com)
    类型: 硅 N-通道功率 MOSFET
    主要功能
    10N65 是一种高性能的硅 N-通道功率 MOSFET,适用于电源开关电路,如适配器和充电器。它具有低导通电阻(RDS(ON) < 1.05Ω@ VGS=10V)和高击穿电压(VDS = 650V),使其能够在高压和大电流环境下稳定运行。
    应用领域
    - 适配器和充电器的电源开关电路
    - 其他需要高压和高电流的应用场合

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | VDS (Drain-Source Voltage) | 漏源电压 | V 650 |
    | VGS (Gate-Source Voltage) | 栅源电压 | V 30 |
    | ID@TC=25℃ (Drain Current) | 栅源电压为 4.5V 时的漏极电流 | A 10
    | ID@TC=100℃ (Drain Current) | 栅源电压为 4.5V 时的漏极电流 | A 6.3
    | IDM (Pulsed Drain Current) | 脉冲漏极电流 | A 40 |
    | PD@TC=25℃ (Total Power Dissipation) | 总功耗 | W 40
    | EAS (Single Pulse Avalanche Energy) | 单脉冲雪崩能量 | mJ 500
    | TSTG (Storage Temperature Range) | 存储温度范围 | ℃ | -55 150 |
    | TJ (Operating Junction Temperature Range) | 工作结温范围 | ℃ | -55 150 |

    产品特点和优势


    10N65 的主要特点是其高耐压能力和低导通电阻,这些特点使得它特别适合于高压和大电流应用。其封装形式为 TO-220F,符合 RoHS 标准,具有较好的可靠性和环保性。
    - 低导通电阻: RDS(ON) < 1.05Ω@ VGS=10V,适合高效能应用。
    - 高耐压能力: VDS = 650V,适用于高压环境。
    - 大电流处理能力: ID@TC=25℃ 达到 10A。
    - 出色的热管理能力: RθJC = 3.13℃/W 和 RθJA = 62.5℃/W,能够有效散热。

    应用案例和使用建议


    10N65 MOSFET 在多种应用中表现优秀,例如电源开关电路中的适配器和充电器。为了确保最佳性能,以下是一些使用建议:
    1. 散热设计: 在高电流和高压情况下,注意散热设计以避免过热损坏。
    2. 栅极驱动: 使用合适的栅极驱动器来降低导通和关断时间,提高效率。
    3. 电路布局: 在 PCB 布局时,注意电源和信号线的分离,以减少干扰。

    兼容性和支持


    10N65 MOSFET 可以与市场上常见的电源电路和控制器兼容。深圳华宣阳电子有限公司提供了详尽的技术支持文档,并提供产品相关的在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见问题及其解决方案:
    1. 问题: MOSFET 过热
    - 解决方案: 检查散热片是否正确安装,并确认风扇或散热器工作正常。
    2. 问题: MOSFET 损坏
    - 解决方案: 确认电路中没有超载,并且电源输入电压在允许范围内。
    3. 问题: 电路不稳定
    - 解决方案: 检查电路布局,确保电源线和信号线分开布线,减少干扰。

    总结和推荐


    综上所述,10N65 MOSFET 是一款非常适合高压和大电流应用的优质产品。其低导通电阻、高耐压能力和出色的热管理能力,使其成为电源开关电路的理想选择。建议在设计和使用过程中遵循推荐的使用建议,以确保最佳性能和长期可靠性。因此,强烈推荐此产品用于适配器和充电器等应用。

10N65参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-252-2L

10N65厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

10N65数据手册

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10N65封装设计

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12500+ ¥ 1.2046
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