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IRFR024NT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,是一款高性能N沟道半导体器件,具备60V的最大工作电压及30A连续电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用场合,以其出色的能效、高可靠性与紧凑设计,有效提升电子设备性能表现。
供应商型号: IRFR024NT TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR024NT

IRFR024NT概述

    IRFR024NT N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型: IRFR024NT 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它采用先进的沟槽技术,旨在提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。
    主要功能: IRFR024NT 具有低至 4.5V 的栅极电压工作能力,使其非常适合用于电池保护和开关应用。
    应用领域:
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源系统 (UPS)

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS(漏源电压) | 漏源之间的最大电压 | 60 V |
    | ID(连续漏电流) | 在不同温度下的连续漏电流 | 5.6 | 15 | 30 | A |
    | RDS(ON)(导通电阻) | 漏源导通电阻 26 | 38 | mΩ |
    | BVDSS(漏源击穿电压) | 漏源击穿电压 | 60 V |
    | Qg(总栅极电荷) | 总栅极电荷 12.6 nC |
    | Td(on)(开启延时时间) | 开启延时时间 8 ns |

    产品特点和优势


    特点和优势:
    1. 低栅极电压工作能力: 能够在低至 4.5V 的栅极电压下工作,提高了系统的灵活性。
    2. 低导通电阻: 导通电阻小于 26mΩ,减少了电路中的损耗。
    3. 高可靠性和稳定性: 绝对最大额定值下具有较高的耐受力,适用于苛刻的工作环境。
    4. 快速开关特性: 较低的栅极电荷和开启延时时间,使其在高频开关应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护: 在电池管理系统中,IRFR024NT 可以有效地控制过流和短路情况,保障电池安全。
    - 负载开关: 在不间断电源系统 (UPS) 中,它可以作为高效的负载开关,确保电力供应的稳定。
    使用建议:
    - 确保驱动电压在 4.5V 至 10V 之间,以获得最佳的导通电阻性能。
    - 注意散热管理,特别是在高功率应用中,可以使用散热片或散热器来降低工作温度。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - IRFR024NT 与大多数标准的开关电源和电池管理系统兼容。
    - 它支持表面安装,可以方便地集成到各种电子设备中。
    支持和维护:
    - 厂商提供了详细的使用指南和技术支持。
    - 用户可以通过官方网站获取最新的技术支持和更新。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 栅极电压不正确导致器件无法正常工作
    - 解决方法: 确保驱动电压在 4.5V 至 10V 之间。
    2. 高温环境下器件过热
    - 解决方法: 使用散热片或散热器辅助散热。
    3. 驱动信号不稳定
    - 解决方法: 使用质量良好的信号线和滤波电路。

    总结和推荐



    总结

    :
    IRFR024NT N 沟道 MOSFET 凭借其出色的导通电阻和低栅极电荷特性,在电池保护和负载开关应用中表现出色。其紧凑的 TO-252-2L 封装使其易于集成到各种电子设备中。厂商提供的详尽的技术支持和文档进一步增强了产品的实用性。
    推荐:
    强烈推荐使用 IRFR024NT N 沟道 MOSFET,尤其是在需要高可靠性、低损耗的应用场景中。无论是电池保护还是负载开关,IRFR024NT 都能提供出色的表现。

IRFR024NT参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 10V
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 30A
通用封装 TO-252-2L

IRFR024NT厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR024NT数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFR024NT IRFR024NT数据手册

IRFR024NT封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.5292
7500+ ¥ 0.5204
12500+ ¥ 0.5072
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