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HXY4828S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级MOSFET采用SOP-8封装,集成双N沟道技术,额定电压60V,连续电流高达6.5A。专为高效电源转换、电池管理系统设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在高电压应用场合下稳定可靠工作,是现代电子产品节能高效的理想选择。
供应商型号: HXY4828S SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY4828S

HXY4828S概述

    HXY4828S 双N沟道增强型MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HXY4828S 是一款双N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产。这款器件采用先进的沟槽技术,具备出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作能力。其主要功能包括电池保护和开关应用,非常适合用于电池管理系统、负载开关以及不间断电源系统等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): +20V
    - 漏极电流 (ID): TA=25℃时为6.5A,TA=70℃时为5A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30A
    - 总功耗 (PD): TA=25℃时为2.1W
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 最大热阻 (Rthj-a): 360°C/W
    - 电气特性
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 60V 至 69V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): 1μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 开通特性
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.0V 至 2.0V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): VGS=10V 时 32mΩ 至 36mΩ;VGS=4.5V 时 34mΩ 至 48mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容 (Clss): 1920pF
    - 输出电容 (Coss): 155pF
    - 反向转移电容 (Crss): 116pF
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8ns
    - 开启上升时间 (tr): 5ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 29ns
    - 关闭下降时间 (tf): 6ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 50nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 8nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 16nC
    - 源漏二极管特性
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2V
    - 二极管正向电流 (IS): 7A
    - 反向恢复时间 (trr): 35ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 43nC

    3. 产品特点和优势


    HXY4828S 的主要特点包括:
    - 低导通电阻:RDS(ON) < 36mΩ (VGS=10V),RDS(ON) < 48mΩ (VGS=4.5V)
    - 高耐压:VDS = 60V
    - 低栅极电荷:总栅极电荷 (Qg) 为 50nC
    - 宽工作温度范围:存储温度范围 -55°C 至 150°C,工作结温范围 -55°C 至 150°C
    这些特点使其在电池管理系统、负载开关和不间断电源系统等应用中表现出色。同时,其出色的热管理和低功耗使得它能够在高温环境下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    HXY4828S 广泛应用于以下几个场景:
    - 电池保护:例如在手机、笔记本电脑等便携式设备中作为过流保护元件。
    - 负载开关:例如在电源管理电路中,通过快速切换实现高效能的电源分配。
    - 不间断电源系统:提供可靠的电源切换和保护功能。
    使用建议:
    - 确保电路设计中的驱动电路能够提供足够的栅极电压,以保证MOSFET正常开通。
    - 在高温环境中使用时,注意散热设计,避免超过最大允许结温。
    - 使用过程中应注意防静电措施,避免静电损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    HXY4828S 封装为SOP-8,符合行业标准,易于与各种电路板兼容。华轩阳公司提供详细的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利应用此产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下使用时,MOSFET性能下降。
    - 解决方案:加强散热设计,使用散热片或风扇辅助散热。

    - 问题:MOSFET出现短路现象。
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有连接正确无误,避免短路发生。

    7. 总结和推荐


    HXY4828S 双N沟道增强型MOSFET 凭借其低导通电阻、高耐压和优秀的热管理性能,在电池保护和开关应用中表现出色。其广泛的适用性和华轩阳公司提供的完善技术支持使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的电子设备中使用此产品。

HXY4828S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 10V,6A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOP-8

HXY4828S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY4828S数据手册

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HXY4828S封装设计

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