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AO4884

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级MOSFET采用SOP-8封装,内置高效N+N沟道设计,额定电压40V,连续电流高达8A。适用于充电器、电源管理、逆变器等高功率应用场合,具备低导通电阻和卓越的开关性能,有效提升系统效率并确保稳定运作,是电子设备的理想功率控制组件。
供应商型号: AO4884 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) AO4884

AO4884概述

    AO4884-HXY MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    AO4884-HXY 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的双N沟道增强型MOSFET。这种器件采用先进的沟槽技术,提供极低的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,能够在最低2.5V的门极电压下正常运行。AO4884-HXY 适用于电池保护、开关应用和其他多种领域,是一款高性能的电子元器件。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):40V
    - 漏极电流(ID):12A(TA=25℃时),7A(TA=70℃时)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 总功耗(PD):2.9W(TA=25℃时)
    - 热阻(Rthj-a):365℃/W
    - 电气特性
    - 门阈电压(VGS(th)):1.0V 至 2.0V(典型值为1.5V)
    - 导通电阻(RDS(ON)):小于20mΩ(VGS=10V时),小于16mΩ(VGS=4.5V时)
    - 零门电压漏极电流(IDSS):1μA
    - 输入电容(Ciss):964pF
    - 输出电容(Coss):109pF
    - 反向传输电容(Crss):96pF(VDS=20V时)
    - 开关特性
    - 开启延迟时间(td(on)):5.5ns
    - 开启上升时间(tr):14ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):24ns
    - 关闭下降时间(tf):12ns
    - 总门极电荷(Qg):22.9nC
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:确保低导通电阻和高可靠性。
    2. 低门极电压操作:能够以最低2.5V的门极电压工作,提高了系统效率和灵活性。
    3. 高集成度:适合于紧凑的设计,减少布局面积和布线复杂度。
    4. 低功耗:在相同条件下相比其他同类产品具有更低的功耗,有助于延长设备寿命。
    5. 高稳定性:具备优异的温度稳定性和电气特性,适合于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    AO4884-HXY MOSFET 主要应用于以下几个领域:
    - 电池保护:用于锂电池和其他可充电电池的保护电路中,提供过流和过压保护。
    - 负载开关:作为电源管理的一部分,控制负载的接通和断开,实现精确的功率管理。
    - 不间断电源系统:用于UPS系统中,保证供电连续性和稳定性。
    使用建议:
    - 合理选择散热措施:根据工作条件选择合适的散热片或散热器,确保MOSFET不会因过热而损坏。
    - 正确布局电路:合理安排电路设计,减少寄生电感和电容的影响,提高整体性能。
    - 监控工作温度:特别是在高温环境下使用时,需注意监视并控制工作温度,避免过热导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    AO4884-HXY MOSFET 可与大多数标准的SOIC-8封装的电路板兼容,且其引脚定义标准统一,易于与其他电路模块连接。华轩阳电子公司提供详尽的技术支持,包括产品文档、技术咨询和售后服务,以帮助客户解决各种问题并优化系统设计。

    常见问题与解决方案


    1. 如何确定最佳工作温度?
    - 解决方案:参照技术手册中的绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)表,选择合适的工作温度范围。同时确保良好的散热措施,防止过热。
    2. 门极电荷过高导致驱动困难怎么办?
    - 解决方案:优化门极驱动电路,使用更高效的门极驱动器来降低门极电荷的影响。
    3. 如何改善电磁干扰(EMI)问题?
    - 解决方案:优化PCB布局,减少不必要的布线和寄生电感,增加滤波电容,提高系统的抗干扰能力。

    总结和推荐


    AO4884-HXY MOSFET 是一款性能优越、可靠性高的双N沟道增强型MOSFET,适合于电池保护、负载开关和不间断电源系统等应用场景。其独特的技术优势使其在市场上具有较高的竞争力。总体而言,我们非常推荐这款产品用于各类电力电子系统的设计和开发。

AO4884参数

参数
栅极电荷 16nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.9W
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 964pF
通用封装 SOP-8

AO4884厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

AO4884数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4884 AO4884数据手册

AO4884封装设计

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