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HXY3401MI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装,拥有P沟道技术,额定电压高达30V,可承载4.2A连续电流,适用于各类电源转换和开关控制场景。其精巧体积与卓越性能相结合,为电子设备提供高效、稳定的功率管理方案。
供应商型号: HXY3401MI SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY3401MI

HXY3401MI概述

    HXY3401MI P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HXY3401MI 是由华轩阳电子有限公司生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该产品广泛应用于电池保护、负载开关以及不间断电源等领域。HXY3401MI 使用先进的沟槽技术,提供极低的导通电阻(RDS(ON)),最低只需2.5V的门极电压即可工作,非常适合用于电池保护和其他开关应用。

    2. 技术参数


    - 工作电压:-30V(最大)
    - 连续漏电流:-4.2A
    - 最大功率耗散:1.2W
    - 绝对最高额定值:
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 门源电压(VGS):±12V
    - 连续漏电流(ID):-4.2A
    - 脉冲漏电流(IDM):-30A
    - 最大功率耗散(PD):1.2W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻:104°C/W
    - 导通电阻:
    - RDS(ON) < 54mΩ @ VGS=10V
    - RDS(ON) < 77mΩ @ VGS=4.5V
    - RDS(ON) < 130mΩ @ VGS=2.5V
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):880pF
    - 输出电容(Coss):105pF
    - 反向转移电容(Crss):65pF
    - 切换特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):7ns
    - 开启上升时间(tr):3ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):30ns
    - 关闭下降时间(tf):12ns
    - 总门极电荷(Qg):8.5nC

    3. 产品特点和优势


    - 先进沟槽技术:HXY3401MI 使用先进的沟槽技术,使得 RDS(ON) 极低,仅为 54mΩ @ VGS=10V,确保了高效能。
    - 低门极电压要求:最低只需2.5V的门极电压即可工作,提高了系统的灵活性。
    - 高可靠性:在广泛的温度范围内保持稳定的性能,适用于苛刻的环境条件。
    - 低热阻:104°C/W 的热阻确保良好的散热性能,提高长时间工作的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:在锂电池充电电路中,HXY3401MI 可以有效防止过充和过放现象。
    - 负载开关:在负载频繁变化的系统中,如通信设备,HXY3401MI 可以快速响应并稳定输出电压。
    - 不间断电源:作为后备电源的切换开关,HXY3401MI 可以确保电源的无缝切换,提高系统的可靠性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意 HXY3401MI 的门极电压不要超过其绝对最高额定值,以避免损坏。
    - 确保电路中有良好的散热措施,特别是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:SOT23-3L 封装,符合行业标准,易于集成到各种电路板设计中。
    - 厂商支持:华轩阳电子提供详尽的技术文档和支持,客户可以随时联系技术支持团队获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高压环境下,HXY3401MI 是否会过热?
    - 解决方案:确保电路设计中有足够的散热措施,如加装散热片或风扇。
    - 问题2:门极电荷过高如何处理?
    - 解决方案:使用低门极电阻或增加外部电容来降低门极电荷。

    7. 总结和推荐


    HXY3401MI 是一款高性能的 P-Channel Enhancement Mode MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻、低门极电压要求和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐使用 HXY3401MI 作为电池保护、负载开关和不间断电源的理想选择。

HXY3401MI参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@ 10V,4.2A
Id-连续漏极电流 4.2A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-23-3L

HXY3401MI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY3401MI数据手册

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HXY3401MI封装设计

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