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HXY3407MI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装,搭载P沟道技术,额定电压为30V,连续电流高达4.1A,适用于各类电源管理和电子设备开关应用。凭借其小巧尺寸和高效性能,可实现高稳定性和低损耗的电路设计。
供应商型号: HXY3407MI SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY3407MI

HXY3407MI概述

    HXY3407MI P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY3407MI 是由深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的 P-沟道增强型 MOSFET。该器件具备高功率和电流处理能力,采用无铅产品设计并提供表面贴装封装。其适用于脉宽调制(PWM)应用、负载开关及电池保护等切换应用。HXY3407MI 采用先进的沟槽技术,提供优异的 RDS(ON),低栅极电荷,且可在低至 2.5V 的栅极电压下操作。

    技术参数


    以下是 HXY3407MI 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 VDS | -30 V |
    | 栅源击穿电压 VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 ID -4.1 A |
    | 脉冲漏极电流 IDM -13 | A |
    | 最大功耗 PD 1.32 | W |
    | 工作结温 TJ | -55 150 | ℃ |
    | 热阻 JΘJA 125 ℃/W |
    在 25°C 条件下的电气特性包括:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源静态导通电阻 RDS(ON) <55 mΩ |
    | 栅阈电压 VGS(th) | -1.2 -2.5 | V |
    | 栅源漏电流 IDSS -1 | μA |
    | 栅源漏电容 Ciss 1000 | pF |
    | 输入电容 Ciss 100 | pF |
    | 输出电容 Coss 1000 | pF |
    | 反向传输电容 Crss 100 | pF |

    产品特点和优势


    - 高功率和电流处理能力:能够处理高达 -4.1A 的连续漏极电流。
    - 先进的沟槽技术:确保较低的 RDS(ON) 和低栅极电荷。
    - 广泛的适用范围:可以在 -55 至 150℃ 的温度范围内正常工作。
    - 低栅极驱动电压:可在 2.5V 的低栅极电压下运行,降低了系统的复杂性和成本。

    应用案例和使用建议


    HXY3407MI 广泛应用于 PWM 控制电路、负载开关及电池保护等领域。例如,在开关电源设计中,可以通过选择合适的栅极电阻和驱动信号来优化其性能。同时,考虑到其较大的输出电容和输入电容,建议在实际应用中添加适当的去耦电容以减小开关瞬态效应。

    兼容性和支持


    HXY3407MI 采用标准的 SOT-23-3L 封装,具有良好的兼容性,适用于多种 PCB 设计。厂家提供详细的技术文档和支持服务,有助于客户进行产品选型和应用设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的漏极电流可能导致器件损坏。
    - 解决方案:在应用电路中加入适当的限流保护措施,例如使用保险丝或限流电阻。
    2. 问题:较高的工作温度导致热稳定性问题。
    - 解决方案:在散热设计上采取主动冷却措施,如散热片或散热风扇。

    总结和推荐


    HXY3407MI P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、低成本的 MOSFET,适合于多种应用场合。其具备优异的电气特性和高可靠性,适用于要求苛刻的应用环境。鉴于其广泛的应用范围和强大的技术支持,强烈推荐在设计时选用此器件。

HXY3407MI参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 10V,4A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 4.1A
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23-3L

HXY3407MI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY3407MI数据手册

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HXY3407MI封装设计

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