处理中...

首页  >  产品百科  >  HESDNC3V3B1CL-A

HESDNC3V3B1CL-A

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 此款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管,专为3.3V系统提供单通道保护。拥有9A峰值脉冲电流IPP性能,有效对抗双向瞬态ESD冲击,保障电路安全稳定。15pF低结电容设计确保高速信号传输时保持出色的信号完整性,是现代便携式及高集成度电子设备的理想ESD防护选择。
供应商型号: HESDNC3V3B1CL-A SOD-523
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDNC3V3B1CL-A

HESDNC3V3B1CL-A概述

    HESDNC3V3B1CL-A ESD Protection Diode 技术手册

    产品简介


    HESDNC3V3B1CL-A 是一种小型封装的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于静电放电(ESD)保护和其他电压瞬态事件的防护。它适用于通信、消费电子和工业控制等领域,为设计者提供了一种灵活性高的解决方案,以保护双向线路免受ESD和其他电压瞬态的影响。这种二极管具有低漏电流、快速响应时间和高ESD耐受能力等特点,使其成为高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率 (PPP):最大值为100W @ 8/20μs
    - 钳位电压 (VC):最大值为15V @ 最大 IPP
    - 正向工作电压 (VRWM):3.3V
    - 反向漏电流 (IR):1μA @ VRWM
    - 击穿电压 (VBR):最小值为5.6V @ IT
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 +155°C
    - 操作温度范围 (Top):-40°C 到 +125°C
    - 最大结温 (Tj):150°C
    - 最大引脚温度 (TL):260°C(在10秒内)
    - 峰值脉冲电流 (IPP):最大值为11A @ 3.3V
    - 电容 (C):最大值为100pF
    - 浪涌电流 (EFT):符合IEC61000-4-4标准,等级4
    - 静电放电 (ESD) 等级: 符合IEC61000-4-2标准,等级3(>16kV)

    产品特点和优势


    HESDNC3V3B1CL-A 的主要特点是其出色的钳位能力、低漏电流和低电容特性。这些特点使得它能够在各种电压瞬态条件下有效地保护敏感半导体组件。此外,它的快速响应时间(通常小于1ns)和高达150W的峰值功率,使其在多种应用中表现出色。特别是在需要高度可靠性的场合,如医疗设备和通信系统中,这款二极管的优势尤为明显。

    应用案例和使用建议


    - 通信设备:可以用于保护数据线和信号线,避免ESD损坏。
    - 消费电子产品:如手机和平板电脑,可提高设备的耐用性和可靠性。
    - 工业控制系统:适用于保护关键传感器和执行机构。
    使用建议:
    - 在设计时,考虑到其高ESD耐受能力和快速响应特性,确保电路布局和接地策略能够最大化发挥其保护效果。
    - 使用符合规范的焊接工艺,避免在焊接过程中超过最大引脚温度(TL)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该二极管采用SOD-523封装,与多数SMD装配设备兼容。
    - 支持:由深圳华宣阳电子有限公司(HUAXUANYANG ELECTRONICS)提供技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理引脚虚焊?
    - 解决方案:使用正确的焊接参数和工具进行焊接,避免温度过高。

    - 问题:如何确定二极管是否损坏?
    - 解决方案:通过测量漏电流和钳位电压来检查二极管的状态。

    总结和推荐


    HESDNC3V3B1CL-A 是一款非常优秀的ESD保护二极管,适合多种应用场景,特别是在需要高度可靠性的设备中。其出色的性能和小巧的尺寸使其成为市场上同类产品的有力竞争者。总的来说,我强烈推荐使用HESDNC3V3B1CL-A 进行ESD保护,特别是在设计要求严格的应用环境中。

HESDNC3V3B1CL-A参数

参数
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 7.8V
峰值脉冲电流 9A
峰值脉冲功率 -
极性 双向
通用封装 SOD-523

HESDNC3V3B1CL-A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDNC3V3B1CL-A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDNC3V3B1CL-A HESDNC3V3B1CL-A数据手册

HESDNC3V3B1CL-A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.0672
9000+ ¥ 0.0661
15000+ ¥ 0.0644
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 201.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0402ESDA-09 ¥ 0.0794
0603ESDA ¥ 0
1.5KE100CA ¥ 6.9984
1.5KE110A ¥ 1.3918
1.5KE200A ¥ 0.9175
1.5KE220A-AT/B ¥ 1.5755
1.5KE22A ¥ 0.72
1.5KE24CA/B ¥ 0.5716
1.5KE27CA ¥ 0.2851
1.5KE30CA ¥ 1.0146