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ZXMN6A11GTA

产品分类:
产品描述:
供应商型号: ZXMN6A11GTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
UDU SEMICONDUCTOR/佑德半导体  ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA概述


    产品简介


    ZXMN6A11GTA 是一款高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET,主要用于小功率开关和负载开关应用。这些MOSFET具备出色的低导通电阻(Rdson)和效率,符合RoHS和绿色产品要求,且经过全面的功能可靠性测试。产品广泛应用于电源管理、电池充电器、马达驱动、照明系统等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压(Vds):60V
    - 栅源电压(Vgs):±20V
    - 连续漏电流(Vgs@10V):25℃时为5.0A,70℃时为1.8A
    - 脉冲漏电流:9.2A
    - 总功耗(Pd):25℃时为1W
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至150°C
    - 工作结温范围(Tj):-55°C至150°C
    - 热阻(Rθja):1°C/W至125°C/W
    - 热阻(Rθjc):1°C/W至80°C/W
    - 反向恢复特性
    - 反向恢复时间(trr):9.7nS
    - 反向恢复电荷(Qrr):5.8nC

    产品特点和优势


    ZXMN6A11GTA 具备以下特点和优势:
    - 高单元密度沟槽技术:确保了低导通电阻和高效能。
    - 超低栅极电荷:提高了开关速度,减少了损耗。
    - 优秀的CdV/dt效应衰减:降低了电磁干扰(EMI)。
    - 绿色和RoHS合规:符合环保标准,适用于各类绿色应用。

    应用案例和使用建议


    ZXMN6A11GTA 在电源管理、电池充电器和马达驱动等应用中表现优异。例如,在一个小型开关电源设计中,使用ZXMN6A11GTA可以显著提升系统的整体效率。为了优化使用效果,建议进行详细的热设计,确保MOSFET的温度在安全范围内,同时考虑适当的散热措施以防止过热。

    兼容性和支持


    ZXMN6A11GTA 支持广泛的电路配置,并且与其他标准N沟道MOSFET具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括电气特性和热管理指南,以便客户进行有效的集成和应用开发。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据实际应用的开关频率和功率需求选择合适的栅极电阻,一般在2.7Ω到3.3Ω之间。

    - 问题:如何处理过高的栅极电压?
    - 解决方案:通过合适的栅极电阻和栅极钳位二极管来保护MOSFET,避免过高的栅极电压损坏器件。

    - 问题:如何测量MOSFET的导通电阻?
    - 解决方案:使用万用表或者专门的测试设备,在特定的栅源电压下进行测量。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN6A11GTA 是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合于需要低导通电阻和高效能的小功率应用。其优良的设计和可靠的功能使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在涉及电源管理和负载开关的应用中使用这款产品。

ZXMN6A11GTA厂商介绍

UDU SEMICONDUCTOR是一家半导体公司,专注于设计和制造高性能的半导体产品,以满足各种电子设备的需求。以下是对UDU SEMICONDUCTOR的简要介绍,包括其主营产品分类、应用领域和优势:

1. 主营产品分类:
- 模拟IC:包括电源管理IC、信号放大器、数据转换器等,用于处理模拟信号。
- 数字IC:包括微控制器、存储器、逻辑IC等,用于处理数字信号。
- 混合信号IC:结合模拟和数字信号处理功能,适用于需要同时处理两种信号的应用。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居设备等。
- 工业控制:用于自动化设备、机器人技术等。
- 汽车电子:包括车载信息娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:如基站、路由器、交换机等。

3. UDU SEMICONDUCTOR的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 性能卓越:产品在速度、功耗、集成度等方面具有竞争力。
- 定制服务:能够根据客户需求提供定制化的半导体解决方案。
- 质量可靠:严格的质量控制流程,确保产品的稳定性和可靠性。

UDU SEMICONDUCTOR致力于通过其高质量的半导体产品,为客户提供高效、可靠的解决方案,以支持他们在全球市场中的竞争力。

ZXMN6A11GTA数据手册

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ZXMN6A11GTA封装设计

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