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NTD5865NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTD5865NLT4G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
UDU SEMICONDUCTOR/佑德半导体 场效应管(MOSFET) NTD5865NLT4G

NTD5865NLT4G概述

    # NTD5865NLT4G 电子元器件技术手册

    产品简介


    NTD5865NLT4G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于同步降压转换器等电源管理电路。此产品采用高密度沟槽工艺制造,具有超低的栅极电荷和优异的反向恢复时间特性,适用于要求高速开关和高效率的应用场合。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS(漏-源电压) | 60 | V |
    | VGS(栅-源电压) | ±20 | V |
    | IDM(脉冲漏电流) | 100 | A |
    | PD(总功耗) | 52 | W |
    | RθJA(热阻,结到环境) | 1至62 | °C/W |
    | RθJC(热阻,结到外壳) | 2.4 | °C/W |
    | 存储温度范围 | -55 至 150 | °C |
    | 工作结温范围 | -55 至 150 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | RDS(ON)(导通电阻) | 12 | mΩ | (VGS=10V, ID=15A) |
    | VGS(th)(栅极阈值电压) | 1.2 | 2.5 | V |
    | Qg(总栅极电荷) | 28.7 | nC | (VDS=48V, VGS=4.5V, ID=15A) |
    | Qgd(栅极-漏极电荷) | 9.9 | nC |
    | Ciss(输入电容) | 210 | pF | (VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz) |
    | Coss(输出电容) | 210 | pF | (VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz) |
    | Crss(反向传输电容) | 146 | pF | (VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz) |

    产品特点和优势


    NTD5865NLT4G 的主要特点如下:
    1. 低导通电阻:RDS(ON) 为 12mΩ,使得在相同电流下发热更低,效率更高。
    2. 超低栅极电荷:Qg 仅为 28.7nC,有助于提高开关速度,降低开关损耗。
    3. 优异的反向恢复特性:反向恢复时间 trr 仅为 18ns,适合高频应用。
    4. 高密度沟槽技术:提高了器件的集成度和可靠性。
    5. 绿色环保:符合 RoHS 和绿色产品标准,无铅且不含有害物质。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTD5865NLT4G 主要用于同步降压转换器,例如用于笔记本电脑、服务器电源管理系统中。其卓越的高频开关性能使其成为理想的电力转换解决方案。
    使用建议
    1. 在选择 MOSFET 驱动器时,应确保其能够提供足够的驱动能力,以满足 NTD5865NLT4G 的高栅极电荷需求。
    2. 设计 PCB 布局时,要注意尽量减少寄生电感和电阻,以提升整体性能。
    3. 在高温环境下工作时,需要特别注意散热设计,以防止器件过热导致损坏。

    兼容性和支持


    NTD5865NLT4G 可与大多数现有的同步降压转换器和其他电源管理 IC 完全兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,包括产品文档、应用指南和技术支持热线等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作过程中器件发热严重。
    解决方法:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇等冷却措施。
    2. 问题:负载电流过大导致器件损坏。
    解决方法:确认负载电流是否超过器件的最大额定值,并采取适当的保护措施。
    3. 问题:开关过程中的噪声较大。
    解决方法:优化 PCB 布局,减小寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    综上所述,NTD5865NLT4G 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适用于高频率和高功率密度的电源转换应用。其优秀的电气特性和紧凑的设计使其在各种工业和消费电子设备中都表现出色。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的应用中选用 NTD5865NLT4G。

NTD5865NLT4G参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -

NTD5865NLT4G厂商介绍

UDU SEMICONDUCTOR是一家半导体公司,专注于设计和制造高性能的半导体产品,以满足各种电子设备的需求。以下是对UDU SEMICONDUCTOR的简要介绍,包括其主营产品分类、应用领域和优势:

1. 主营产品分类:
- 模拟IC:包括电源管理IC、信号放大器、数据转换器等,用于处理模拟信号。
- 数字IC:包括微控制器、存储器、逻辑IC等,用于处理数字信号。
- 混合信号IC:结合模拟和数字信号处理功能,适用于需要同时处理两种信号的应用。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居设备等。
- 工业控制:用于自动化设备、机器人技术等。
- 汽车电子:包括车载信息娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:如基站、路由器、交换机等。

3. UDU SEMICONDUCTOR的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 性能卓越:产品在速度、功耗、集成度等方面具有竞争力。
- 定制服务:能够根据客户需求提供定制化的半导体解决方案。
- 质量可靠:严格的质量控制流程,确保产品的稳定性和可靠性。

UDU SEMICONDUCTOR致力于通过其高质量的半导体产品,为客户提供高效、可靠的解决方案,以支持他们在全球市场中的竞争力。

NTD5865NLT4G数据手册

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NTD5865NLT4G封装设计

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