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HT65NF06ATZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: HTCSEMI/海天芯
产品描述: 32nC@ 10V 15mΩ@ 10V,25A 65A TO-220AB-3
供应商型号: HT65NF06ATZ TO-220AB-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
HTCSEMI/海天芯 场效应管(MOSFET) HT65NF06ATZ

HT65NF06ATZ概述

    HT65NF06A N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HT65NF06A 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(最大值为 0.015Ω)和高击穿电压(最大值为 60V)。它广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化和汽车电子等领域。这款 MOSFET 以其优异的电气特性和可靠性,成为设计工程师的理想选择。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 最大导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.015Ω @ V{GS}=10V
    - 最大栅极电荷 \( Qg \): 32-42nC @ V{DS}=48V, V{GS}=10V, ID=60A
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1050-1365pF @ V{GS}=0V, V{DS}=25V, f=1MHz
    - 输出电容 \( C{oss} \): 460-600pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 70-90pF
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 65A @ TC=25°C, 40A @ TC=100°C
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 最大源-漏极二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 70μs
    - 热阻 \( R{\theta JC} \): 1.24°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 漏-源电压 \( V{DSS} \): 60V
    - 栅-源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 493mJ
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 12.0mJ
    - 反向恢复峰值电压变化率 \( dV/dt \): 7.0V/ns
    - 总功耗 \( PD \): 120W @ TC=25°C
    - 工作结温 \( T{STG} \): -55°C~175°C
    - 存储温度 \( TJ \): 150°C

    3. 产品特点和优势


    HT65NF06A 的主要优势在于其极低的导通电阻和高雪崩能量耐受能力,这使其在大电流应用中表现出色。同时,其快速的开关速度和较低的热阻有助于提高系统的效率和稳定性。此外,该 MOSFET 还具有良好的抗噪能力和宽泛的工作温度范围,适用于各种恶劣环境的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    HT65NF06A 在多个领域都有广泛的应用。例如,在电源转换器中,它可以用于降低导通损耗,提高系统效率。在电机驱动系统中,它能提供稳定的电流控制和快速响应。对于需要高可靠性的工业应用,如工业自动化控制系统,HT65NF06A 的高击穿电压和宽泛的工作温度范围是其显著优势。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑 MOSFET 的导通电阻和栅极电荷,以确保系统能够满足所需的功率要求。
    - 由于其较高的功耗,建议采用适当的散热措施,以保持器件的长期稳定运行。
    - 在进行开关操作时,应特别注意反向恢复时间和峰值电压变化率,以避免损坏其他组件。

    5. 兼容性和支持


    HT65NF06A 与多种标准封装和接口兼容,如 TO-220 封装。制造商提供了详尽的技术支持文档和咨询服务,确保客户能够顺利集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: MOSFET 过热
    - 解决方案: 使用散热片或风扇加强散热,确保良好的空气流通。

    - 问题: 开关过程中出现异常噪声
    - 解决方案: 检查并调整电路布局,减少杂散电感,增加栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    HT65NF06A 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适合于需要高效率和高可靠性的应用场景。其低导通电阻、高雪崩能量耐受能力及宽泛的工作温度范围使其在市场上具备强大的竞争力。推荐设计师在大电流和高可靠性需求的应用中选用此款 MOSFET。

HT65NF06ATZ参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 65A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 10V,25A
栅极电荷 32nC@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220AB-3

HT65NF06ATZ厂商介绍

HTCSEMI是一家高科技半导体公司,专注于半导体器件的设计、研发和销售。公司主营产品包括功率器件、模拟芯片、传感器等,广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子、通信等领域。

HTCSEMI的产品分类如下:
1. 功率器件:包括MOSFET、IGBT等,用于电力电子转换、电机驱动等。
2. 模拟芯片:包括电源管理、信号处理等,用于电子设备中模拟信号的放大、滤波、转换等。
3. 传感器:包括温度、湿度、压力等传感器,用于环境监测、工业自动化等。

HTCSEMI的优势:
1. 技术领先:公司拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高可靠性的产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 快速响应:快速响应客户需求,提供定制化解决方案。
4. 优质服务:完善的售后服务体系,为客户提供全方位的技术支持。

HT65NF06ATZ数据手册

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HTCSEMI/海天芯 场效应管(MOSFET) HTCSEMI/海天芯 HT65NF06ATZ HT65NF06ATZ数据手册

HT65NF06ATZ封装设计

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