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FDD5614P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: MSKSEMI/台湾美森科
产品描述: 20W 20V 2.5V 37.6nC 60V 9.4mΩ@ 10V,12A 14A 870pF TO-252-2
供应商型号: 30C-FDD5614P TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
MSKSEMI/台湾美森科 场效应管(MOSFET) FDD5614P

FDD5614P概述

    FDD5614P MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD5614P 是一款由 MSKSEMI Semiconductor 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、快速开关性能和高雪崩能力等特点,适用于电机驱动、电动工具和 LED 照明等领域。FDD5614P 的独特之处在于其极低的导通电阻和优良的开关特性,使其成为高效能电子设备的理想选择。

    2. 技术参数


    FDD5614P 的技术参数如下:
    - 电气特性:
    - 漏源电压(VDS):-60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(TC=25℃):-14A
    - 持续漏电流(TC=100℃):-8A
    - 脉冲漏电流(IDM):-52A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):31mJ
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):-25A
    - 功耗(TC=25℃):20W
    - 热阻(RθJA):62℃/W
    - 热阻(RθJC):6.1℃/W
    - 开关特性:
    - 总栅极电荷(Qg):16.4nC
    - 上升时间(Tr):29.6ns
    - 关断延迟时间(Td(off)):51.7ns
    - 下降时间(Tf):15.6ns
    - 阈值电压特性:
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-1.0 至 -2.5V
    - 温度系数(△VGS(th)):5mV/℃

    3. 产品特点和优势


    FDD5614P 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:在 VGS = -10V 时,RDS(ON) 仅为 54mΩ,这使得其在低功耗和高效率应用中表现出色。
    - 快速开关:具备优异的开关速度和超快的上升时间(Tr),可有效减少开关损耗。
    - 高可靠性:100% EAS 保证,能够在极端条件下可靠运行。
    - 环保设计:提供绿色器件版本,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机驱动:FDD5614P 在电机驱动应用中可以显著提高效率,特别是在电池供电的系统中。
    - 电动工具:由于其低导通电阻和高可靠性,非常适合用于手持式电动工具。
    - LED 照明:在 LED 驱动电路中,FDD5614P 可以提供出色的性能和长寿命。
    使用建议:
    - 确保电路设计能够满足 FDD5614P 的最大额定电压和电流要求。
    - 为电路提供足够的散热措施,特别是当温度超过 25℃ 时。

    5. 兼容性和支持


    FDD5614P 与其他标准 TO-252 封装的器件兼容,适用于各种通用电路板设计。MSKSEMI Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和在线技术支持服务,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何计算 FDD5614P 的热阻?
    - 解答:根据数据表,RθJA 为 62℃/W。使用公式:Tj = TA + PD × RθJA,可以计算出最大允许的功耗。

    - 问题:FDD5614P 的开关波形如何测量?
    - 解答:通过示波器测量 Td(on)、Tr、Ton、Td(off) 和 Tf,可以获取完整的开关波形。

    7. 总结和推荐


    FDD5614P 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种应用场合,尤其在需要高效率和低功耗的应用中表现卓越。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高可靠性的电机驱动、电动工具和 LED 照明等领域中使用该产品。
    通过上述详细的技术手册解读,我们不难看出 FDD5614P 是一款极具潜力的电子元器件,不仅能满足各类应用需求,还能在恶劣环境下保持优异性能。

FDD5614P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 870pF
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ@ 10V,12A
通道数量 -
Id-连续漏极电流 14A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 37.6nC
最大功率耗散 20W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通用封装 TO-252-2

FDD5614P数据手册

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FDD5614P封装设计

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