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JSM2N60F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO-220F
供应商型号: JSM2N60F TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM2N60F

JSM2N60F概述

    SSS2N60 高压 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    SSS2N60 是一款高性能的高压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于实现高速开关性能、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩耐受能力。这类器件主要用于电源供应、脉冲宽度调制(PWM)电机控制、高效直流到直流转换器以及桥式电路中。

    2. 技术参数


    - 工作电压:漏源击穿电压(VDSS)为 600V
    - 最大电流:
    - 持续电流(Tc=25℃):ID = 2.0A
    - 最大温度下的持续电流(Tc=100℃):ID = 1.26A
    - 脉冲电流(Tc=25℃):IDP = 8.0A
    - 栅源电压(VGSS):±30V
    - 导通电阻(RDS(ON)):3.8Ω@VGS=10V
    - 栅极电荷:典型值 9.0nC
    - 反向转移电容(CRSS):典型值 5.0pF
    - 雪崩能量:重复脉冲(EAR):4.5mJ,单脉冲(EAS):120mJ
    - 峰值二极管恢复速率(dv/dt):4.5V/ns
    - 热阻:
    - 结到环境(θJA):TO-251 和 TO-252 均为 112℃/W;TO-220 和 TO-220F 均为 54℃/W
    - 结到外壳(θJC):TO-251 和 TO-252 均为 12℃/W;TO-220 和 TO-220F 均为 4℃/W
    - 储存温度范围:-55℃ 至 +150℃

    3. 产品特点和优势


    SSS2N60 的关键特点和优势如下:
    - 快速开关性能:具有超低栅极电荷(9.0nC),使器件能够实现高效的开关操作。
    - 高可靠性:雪崩能量(120mJ)和高抗浪涌电流能力使其适合在高电流应用中使用。
    - 低导通电阻(3.8Ω@VGS=10V),有助于降低功耗并提高效率。
    - 增强的 dv/dt 能力:提高了器件的稳定性和耐用性。
    - 广泛的工作温度范围:从 -55℃ 到 +150℃,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源供应:利用其快速开关能力和低导通电阻来提高电源的效率。
    - PWM 电机控制:适用于驱动各种类型的电机,提供精确的控制。
    - 高效直流到直流转换器:通过其优秀的电气特性,实现高效的能量转换。
    - 桥式电路:在需要快速响应和高可靠性的应用中,如开关电源和逆变器。
    使用建议:
    - 在设计电源供应时,确保散热系统有效,以避免过热。
    - 对于 PWM 控制,选择合适的栅极驱动器以确保正确的栅极电压。
    - 使用时注意热管理,特别是高功率应用中,保持良好的散热措施。

    5. 兼容性和支持


    SSS2N60 支持多种封装形式,包括 TO-220、TO-220F、TO-251 和 TO-252。不同封装之间的引脚分配不同,具体请参考订购信息。此外,制造商提供了全面的技术支持,包括详细的使用指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 为什么导通电阻随温度变化?
    - A: 导通电阻随温度的变化可能会影响器件的性能。可以通过优化散热设计或选择合适的封装来减少这种影响。
    - Q: 如何处理高温下的脉冲电流?
    - A: 设计中应考虑器件的最大脉冲电流能力,并确保不会超过额定值,同时要使用有效的散热机制。
    - Q: 栅极电荷如何影响开关速度?
    - A: 较低的栅极电荷可以提高开关速度。通过选择合适的栅极驱动器和降低栅极电阻,可以进一步优化开关性能。

    7. 总结和推荐


    SSS2N60 高压 N 沟道 MOSFET 是一款具备出色电气特性和高可靠性的器件,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻、快速开关能力和高雪崩耐受能力使得它成为设计高效电源供应和电机控制系统的理想选择。推荐在需要高性能电力转换的应用中使用 SSS2N60。
    希望这篇手册能帮助您更好地了解和使用 SSS2N60,如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系制造商。

JSM2N60F参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220F

JSM2N60F厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM2N60F数据手册

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JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM2N60F JSM2N60F数据手册

JSM2N60F封装设计

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