处理中...

首页  >  产品百科  >  JSM4N60D

JSM4N60D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO-252
供应商型号: JSM4N60D TO-252(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 100
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM4N60D

JSM4N60D概述

    电子元器件产品技术手册解析
    本文将对一款型号为JSM4N60D的650V N-Channel MOSFET的技术手册进行详细解析,涵盖产品简介、技术参数、产品特点与优势、应用案例与使用建议、兼容性和支持以及常见问题与解决方案。

    1. 产品简介


    JSM4N60D是一款650V N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关模式电源和有源功率因数校正等领域。这类器件具有高可靠性、低导通电阻和快速开关能力等特点,在各类电源转换系统中得到广泛应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDSS) | 650 | V |
    | 漏极连续电流(ID) | 4.0 | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 16 | A |
    | 栅源电压(VGSS) | ±30 | V |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 240 | mJ |
    | 雪崩电流(IAR) | 4.0 | A |
    | 反复雪崩能量(EAR) | 10.0 | mJ |
    | 正向二极管恢复电压(dv/dt)| 4.5 | V/ns |
    | 热阻(RθJC) | 2.5 | °C/W |
    | 热阻(RθJA) | 83 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    JSM4N60D的主要特点包括:
    - 高击穿电压:650V的VDSS保证了其在高压环境下工作的可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on)典型值为2.2Ω,这使得其在导通状态下的损耗最小化,从而提高效率。
    - 快速开关:得益于低栅电荷(Qg)特性,它能够实现快速的开关操作,减少开关损耗。
    - 高雪崩耐受性:通过反复雪崩测试验证,确保了其在恶劣环境下的耐用性和稳定性。
    - 温度范围宽:能在-55°C到+150°C的温度范围内稳定工作,适合各种严苛的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    JSM4N60D广泛应用于多种电力电子系统中,如开关电源和有源功率因数校正电路。例如,在一个典型的400W开关电源设计中,JSM4N60D可以用作主控开关管,提供高效的能量转换。为了最大化利用其性能,建议采取以下措施:
    - 保持散热良好,以避免由于热积聚导致的过温保护。
    - 使用合适的栅极驱动器以确保快速、准确的开关动作。

    5. 兼容性和支持


    JSM4N60D在物理尺寸上符合标准封装要求,便于集成到现有设计中。厂商JSMICRO Semiconductor提供了详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于产品选型指导、应用技术支持及故障排除服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 增加散热片或采用水冷系统来提高散热效果 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查焊接质量或重新编程栅极驱动器 |
    | 高压击穿 | 检查电路设计是否符合最大额定值的要求 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,JSM4N60D以其出色的性能参数、高效的应用表现和广泛的适用范围,成为高性能开关电源设计的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高压、大电流且注重效率和可靠性的应用场景中。

JSM4N60D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DPAK,TO-252

JSM4N60D厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM4N60D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM4N60D JSM4N60D数据手册

JSM4N60D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.84
200+ ¥ 0.826
300+ ¥ 0.805
库存: 300000
起订量: 100 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 84
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831