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JSM2302A-A2SHB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 26M-JSM2302A-A2SHB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM2302A-A2SHB

JSM2302A-A2SHB概述

    JSM2302A-A2SHB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JSM2302A-A2SHB 是一款采用 SOT-23 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的 MOSFET 特别适用于电池管理系统、高速开关电路和低功率直流到直流转换器等领域。其独特的超高密度圆胞设计技术使得 RDS(ON) 导通电阻非常低,从而提高了效率和性能。

    技术参数


    以下是 JSM2302A-A2SHB 的主要技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±8 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 3.0 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 10 | A |
    | 持续源电流 | IS | 0.95 | A |
    | 功率耗散 | PD | 0.9 | W |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 20 | V |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | 1.0 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | ±100 | nA |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on)1 | 60 | mΩ |
    | 开启电阻 | RDS(on)2 | 115 | mΩ |
    | 通态漏源导通电阻 | RDS(on) | 115 | mΩ |
    | 通态漏源压降 | VSD | 0.75 ~ 1.2 | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 0.50 ~ 1.0 | V |
    | 开启状态漏电流 | ID(on) | 4 | A |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 7 | ns |
    | 开启上升时间 | tr | 55 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 15 | ns |
    | 关闭下降时间 | tf | 10 | ns |

    产品特点和优势


    - 超高密度圆胞设计:这种设计显著降低了导通电阻 RDS(ON),从而提高了电路的整体效率。
    - 低 RDS(ON):在常见的栅极电压下,RDS(ON) 仅为 60 mΩ(VGS=4.5V),进一步提升了系统的性能。
    - 广泛的适用性:可用于电池管理、高速开关和低功耗直流到直流转换等多种应用场合。
    - 良好的温度特性:存储温度范围宽达 -55℃ 到 150℃,保证了在极端环境下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 电池管理系统:由于其低导通电阻和高可靠性,JSM2302A-A2SHB 在电池管理系统的放电和充电控制中表现出色。
    - 高速开关:适合用于需要快速响应的应用,如开关电源或逆变器。
    - 低功耗 DC-DC 转换器:在需要高效能量转换的应用中表现良好。
    使用建议:
    - 确保在安装时保持良好的热管理和散热,以延长产品寿命并维持其性能。
    - 在使用过程中,根据应用需求合理选择栅极驱动电压,以优化性能和降低功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:JSM2302A-A2SHB 具有 SOT-23 封装,易于集成到现有系统中。它可与大多数通用控制器和驱动器兼容。
    - 技术支持:JSMICRO Semiconductor 提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品发热严重 | 确保良好的散热设计,可以使用散热片或风扇辅助散热。 |
    | 导通电阻过高 | 检查栅极电压是否达到标准值,确保驱动电路正常工作。 |
    | 开关速度慢 | 检查栅极驱动电压和电流,必要时提高驱动电压。 |

    总结和推荐


    JSM2302A-A2SHB N-Channel MOSFET 在电池管理、高速开关和低功耗直流到直流转换器等领域表现出卓越的性能和可靠性。其低导通电阻、良好的温度特性和广泛的适用性使其在市场上具有强大的竞争力。如果您正在寻找高性能、高可靠性的 MOSFET,强烈推荐您选择 JSM2302A-A2SHB。

JSM2302A-A2SHB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23

JSM2302A-A2SHB厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM2302A-A2SHB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM2302A-A2SHB JSM2302A-A2SHB数据手册

JSM2302A-A2SHB封装设计

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50+ ¥ 0.1167
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