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IRFB260N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 200V 56A
供应商型号: IRFB260N TO-220-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) IRFB260N

IRFB260N概述

    #

    产品简介


    IRFB260N电子元器件是一款高效且可靠的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电力电子应用。这种MOSFET采用了专有的平面技术,能够显著提升其开关性能和可靠性。主要应用于直流-直流转换器、不间断电源(UPS)中的直流-交流逆变器、开关模式电源(SMPS)以及电机控制等领域。

    技术参数


    以下是IRFB260N的主要技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGSS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | - | - | 200 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | - | 60 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 191 | mJ |
    | 热阻(结到外壳) | RthJC | 1.96 | - | 1.2 | °C/W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 62.5 | - | 60 | °C/W |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 栅极-源极泄漏 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.05 | 0.06 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2800 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 355 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 101 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 154 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 13 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 58 | - | nC |

    产品特点和优势


    IRFB260N的主要特点如下:
    - 专有新平面技术:提升了MOSFET的整体性能和可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on)为0.05至0.06欧姆,确保了在高电流条件下的低损耗。
    - 低栅极电荷:减小了开关损耗,提高了能效。
    - 快速恢复体二极管:具备快速恢复能力,适用于高频应用场合。
    这些特性使得IRFB260N在直流-直流转换器、不间断电源、开关模式电源和电机控制等应用中表现出色,具有市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器:在电力系统中用于将一种直流电压转换成另一种直流电压。
    - 不间断电源(UPS):在电力故障时提供稳定的电力供应。
    - 开关模式电源(SMPS):高效的电源管理系统,广泛应用于各种消费电子设备中。
    - 电机控制:用于工业自动化和电动车辆中电机的驱动和控制。
    使用建议
    - 在设计电路时,考虑到该MOSFET的热阻特性,需要进行有效的散热设计,以避免过热导致损坏。
    - 尽量减少开关损耗,通过合理选择驱动电阻RG来最小化Qg和Qgd。

    兼容性和支持


    IRFB260N与其他标准封装的MOSFET产品(如TO-220)兼容。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保客户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开机瞬间出现电流过冲现象。
    - 解决方案:确保在设计电路时加入了适当的缓冲电路来吸收瞬态电流,从而降低电流过冲的风险。

    2. 问题:长时间运行后发现器件温度过高。
    - 解决方案:优化散热方案,增加散热片或者风扇等冷却装置。

    总结和推荐


    综上所述,IRFB260N是一款高度集成、可靠且高效的功率MOSFET,特别适合在高频开关应用中使用。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其在提高系统效率方面表现优异。总体而言,IRFB260N是值得推荐的高性能功率MOSFET。

IRFB260N参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-220-3

IRFB260N厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

IRFB260N数据手册

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IRFB260N封装设计

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