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AO4826

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+N沟道,60V,7A,40mΩ@10V
供应商型号: AO4826 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) AO4826

AO4826概述

    AO4826 电子元器件产品概述

    1. 产品简介


    AO4826 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽技术制造,以最小化导通电阻(RDS(ON))。这款晶体管特别适用于低电压应用,如笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 静态参数
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压): 60 V (VGS=0V, ID=250μA)
    - VGS(th)(栅阈电压): 1.0 ~ 3.0 V (VDS=VGS, ID=250μA)
    - IGSS(栅泄漏电流): ±100 nA (VDS=0V, VGS=±20V)
    - IDSS(零栅压漏极电流): 1 μA (VDS=60V, VGS=0)
    - RDS(ON)(导通电阻): 23 mΩ (typ.) @ VGS=10V, ID=7.0A; 31 mΩ (typ.) @ VGS=4.5V, ID=5.0A
    - 动态参数
    - Qg(总栅极电荷): 15.6 nC (VDS=30V, VGS=10V)
    - Qgs(栅源电荷): 1.3 nC
    - Qgd(栅漏电荷): 4.5 nC
    - Ciss(输入电容): 520 pF (VIDDS=5.0A, VGS=0V, f=1MHz)
    - Coss(输出电容): 105 pF
    - Crss(反向传输电容): 60 pF
    - Td(on)(导通时间): 8 ns (VDS=30V, ID=1A, VGEN=10V, RG=6Ω)
    - Tr(上升时间): 6 ns
    - Td(off)(关断时间): 25 ns
    - Tf(下降时间): 4 ns
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压): 60 V
    - VGS(栅源电压): ±20 V
    - IDM(脉冲漏极电流): 73 A
    - TJ, TSTG(结温和存储温度范围): -55 ℃ to 150 ℃
    - PD(功耗): 60 W (TA=25℃), 40 W (TA=70℃)

    3. 产品特点和优势


    - 超级低导通电阻:典型情况下,RDS(ON)仅为24mΩ(VGS=10V, ID=7.0A)和32mΩ(VGS=4.5V, ID=5.0A),使AO4826成为低电压应用的理想选择。
    - 出色的直流电流能力:能够处理高达8.0A的连续漏极电流,确保设备的稳定运行。
    - 全RoHS合规:满足环保要求,适用于各类工业和消费电子产品。
    - SOP8封装设计:小巧轻便,易于焊接安装,适合紧凑型设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域
    - 电源管理:笔记本电脑和其他电池供电设备的电源管理。
    - 便携设备:移动电源、手持设备等。
    - DC/DC转换器:用于电力系统中电压的升降转换。
    - 负载开关:用于控制电路中的负载切换。
    - 数字信号处理(DSC):应用于图像处理和显示技术中。
    - LCD显示器逆变器:用于LCD屏幕的电源供应。

    - 使用建议
    - 在电源管理系统中,可以通过合理的电路设计降低整体功耗,例如在低功耗模式下采用AO4826,提高系统的能效。
    - 在便携设备中,注意散热设计,避免长时间高电流工作导致过热损坏。
    - 在DC/DC转换器中,配合适当的滤波电容,减少纹波和电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:AO4826 支持标准SOP8封装,可直接替换同类产品。
    - 支持和维护:JSMICRO Semiconductor提供详尽的技术文档和售后支持,确保客户能够高效利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定AO4826的最大漏源电压?
    - 解答:最大漏源电压为60V,超过此值可能导致设备损坏。请根据实际应用场景合理选择电压等级。
    - 问题二:如何减少AO4826的功耗?
    - 解答:可以通过降低VGS值来减少导通电阻RDS(ON),从而降低功耗。在不影响性能的前提下,尽量保持较低的栅源电压。
    - 问题三:AO4826能否承受短时高温?
    - 解答:尽管AO4826具备一定的耐温能力(-55℃到150℃),但不建议长时间暴露于极端温度环境中。建议采取适当的散热措施,如增加散热片或使用散热硅脂。

    7. 总结和推荐


    AO4826是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET晶体管,特别适合低电压应用和便携式设备。其卓越的导通电阻、良好的温度特性和稳定的电流处理能力使其在市场上具有很强的竞争优势。总体而言,我们强烈推荐该产品用于各种低电压电源管理和便携设备应用。

AO4826参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8

AO4826厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

AO4826数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 AO4826 AO4826数据手册

AO4826封装设计

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