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ZXMN6A11Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,60V,6.7A,88mΩ@10V
供应商型号: ZXMN6A11Z SOT-89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) ZXMN6A11Z

ZXMN6A11Z概述

    ZXMN6A11Z 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A11Z 是一款由 JSMICRO Semiconductor 生产的高性能 60V N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品适用于多种电力转换和开关应用。它以其低导通电阻、快速开关能力和良好的热管理能力而著称,使其在电力电子设备中具有广泛的用途。

    技术参数


    - 连续漏极电流 (ID): 5A @ VGS=10V,脉冲漏极电流(装在大散热片上)可达 20A。
    - 最大耗散功率 (PD): 0.5W @ Tc=25°C。
    - 栅源电压 (VGS): ±20V。
    - 漏源击穿电压 (BV(BR)DSS): 60V @ VGS=0V,ID=250μA。
    - 结壳热阻 (RθJA): 200°C/W。
    - 反向传输电容 (CRSS): 23pF。
    - 栅电荷 (Qg): 9nC。
    - 工作温度范围: 存储温度范围为 -55°C 到 150°C,最高结温为 150°C。

    产品特点和优势


    - 优异的散热设计: 具有出色的封装,能有效散热。
    - 超低栅极电荷: 这使得驱动功率显著降低。
    - 低反向传输电容: 提高了开关速度,降低了能量损耗。
    - 快速开关能力: 高效地进行开关操作。
    - 雪崩耐受性: 能够承受瞬态高压事件。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域: 主要应用于电源开关、电池管理和电机控制等领域。
    - 使用建议: 在设计电路时应考虑散热需求,避免过热导致的性能下降。根据具体应用要求选择合适的栅极驱动电压,以优化性能和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准 SOT-89 封装的电路板高度兼容。
    - 支持: JSMICRO Semiconductor 提供详细的技术文档和客户支持,确保产品能够顺利集成到客户的系统中。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热?
    A: 使用适当的散热措施,如加装散热片。
    - Q: 什么是雪崩耐受性?
    A: 指 MOSFET 能够承受瞬态高压而不损坏的能力。
    - Q: 如何测量栅极电荷?
    A: 可以通过示波器测量 MOSFET 的开关时间,再计算出栅极电荷。

    总结和推荐


    ZXMN6A11Z 以其优良的散热性能、低栅极电荷和快速开关能力,成为电力电子应用的理想选择。它适合需要高效开关和良好热管理的应用场合。总体来说,我们强烈推荐这款 MOSFET 用于各种电源转换和开关应用。

ZXMN6A11Z参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-89-3

ZXMN6A11Z厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

ZXMN6A11Z数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 ZXMN6A11Z ZXMN6A11Z数据手册

ZXMN6A11Z封装设计

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